イオン照射による酸化膜上へのCoSi2形成とその細線加工応用に関する研究

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著者

    • 松下, 篤志 マツシタ, アツシ

書誌事項

タイトル

イオン照射による酸化膜上へのCoSi2形成とその細線加工応用に関する研究

著者名

松下, 篤志

著者別名

マツシタ, アツシ

学位授与大学

九州大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第4807号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 研究の背景と目的 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本論文の構成と要旨 / p5 (0009.jp2)
  5. 第2章 酸化膜上へのCoSi₂形成におけるイオン照射の効果 / p8 (0012.jp2)
  6. 2.1 緒言 / p8 (0012.jp2)
  7. 2.2 実験方法 / p10 (0014.jp2)
  8. 2.3 Co/Si/SiO₂系における熱処理とイオン照射によるシリサイド形成機構 / p15 (0019.jp2)
  9. 2.4 結言 / p32 (0036.jp2)
  10. 第3章 イオン照射によりCoSi₂層に形成される損傷の評価 / p33 (0037.jp2)
  11. 3.1 緒言 / p33 (0037.jp2)
  12. 3.2 実験方法 / p34 (0038.jp2)
  13. 3.3 損傷形成のモデル / p38 (0042.jp2)
  14. 3.4 CoSi₂層における損傷形成の照射条件依存性 / p42 (0046.jp2)
  15. 3.4 結言 / p46 (0050.jp2)
  16. 第4章 イオン照射によるシリサイド形成において酸化膜に形成される損傷の評価 / p47 (0051.jp2)
  17. 4.1 緒言 / p47 (0051.jp2)
  18. 4.2 実験方法 / p48 (0052.jp2)
  19. 4.3 イオン照射により形成したCoSi₂ゲートMOS構造の評価 / p52 (0056.jp2)
  20. 4.4 結言 / p68 (0072.jp2)
  21. 第5章 FIBを用いたコバルトシリサイドの細線加工 / p69 (0073.jp2)
  22. 5.1 緒言 / p69 (0073.jp2)
  23. 5.2 実験方法 / p70 (0074.jp2)
  24. 5.3 非照射部のSiエッチング特性 / p76 (0080.jp2)
  25. 5.4 酸化膜上のCoSi₂細線構造の形成 / p80 (0084.jp2)
  26. 5.5 結言 / p86 (0090.jp2)
  27. 第6章 結論 / p87 (0091.jp2)
  28. 謝辞 / p90 (0094.jp2)
  29. 参考文献 / p91 (0095.jp2)
  30. 付録A 固体に入射したイオンの軌跡の計算 / p95 (0099.jp2)
  31. A.1 原子核との相互作用によるエネルギー損失と入射イオンの偏向 / p97 (0101.jp2)
  32. A.2 衝突パラメータの選択 / p98 (0102.jp2)
  33. A.3 電子との相互作用によるエネルギー損失 / p99 (0103.jp2)
  34. A.4 空孔の形成 / p102 (0106.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000171783
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000172057
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000336097
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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