高速イオンビーム分析技術の材料科学への応用に関する研究

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Author

    • 田中, 幸基 タナカ, コウキ

Bibliographic Information

Title

高速イオンビーム分析技術の材料科学への応用に関する研究

Author

田中, 幸基

Author(Another name)

タナカ, コウキ

University

大阪大学

Types of degree

博士(工学)

Grant ID

乙第7591号

Degree year

1998-09-25

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 緒言 / p1 (0005.jp2)
  3. 第1章 序論 / p7 (0008.jp2)
  4. 1-1 高速イオンビームをプローブとして用いる分析評価技術 / p7 (0008.jp2)
  5. 1-2 装置と原理 / p9 (0009.jp2)
  6. 1-3 ラザフォード後方散乱分光法(Rutherford Backscattering Spectrometry;RBS) / p10 (0010.jp2)
  7. 1-4 弾性反跳粒子検出法(Elastic Recoil Detection Analysis;ERDA) / p14 (0012.jp2)
  8. 1-5 核反応分析法(Nuclear Reaction Analysis;NRA) / p16 (0013.jp2)
  9. 1-6 粒子励起X線分析法(Particle Induced X-ray Emission;PIXE) / p17 (0013.jp2)
  10. 1-7 イオンチャネリング法 / p18 (0014.jp2)
  11. 1-8 高速イオンビーム分析技術の課題 / p23 (0016.jp2)
  12. 参考文献 / p25 (0017.jp2)
  13. 第2章 イオンチャネリング法による金属間化合物Ni₀.₇₅Al₀.₁₅Ti₀.₁₀中のB原子の格子占有サイトの決定 / p27 (0018.jp2)
  14. 2-1 はじめに / p27 (0018.jp2)
  15. 2-2 実験方法 / p31 (0020.jp2)
  16. 2-3 核反応を応用したボロン原子の検出 / p33 (0021.jp2)
  17. 2-4 イオンチャネリング角度収量曲線 / p40 (0025.jp2)
  18. 2-5 Ni₀.₇₅Al₀.₁₅Ti₀.₁₀結晶中のチャネリングイオンによる特性X線の発生 / p42 (0026.jp2)
  19. 2-6 Ni₀.₇₅Al₀.₁₅Ti₀.₁₀金属間化合物中のBの格子位置決定 / p52 (0031.jp2)
  20. 2-7 結論 / p55 (0032.jp2)
  21. 参考文献 / p56 (0033.jp2)
  22. 第3章 イオンチャネリング法によるSi(100)表面におけるGeエピタキシャル成長機構 / p58 (0034.jp2)
  23. 3-1 はじめに / p58 (0034.jp2)
  24. 3-2 実験方法 / p60 (0035.jp2)
  25. 3-3 結果と考察 / p62 (0036.jp2)
  26. 3-4 結論 / p73 (0041.jp2)
  27. 参考文献 / p74 (0042.jp2)
  28. 第4章 プロトン散乱分光法によるTiN薄膜の成長機構 / p76 (0043.jp2)
  29. 4-1 はじめに / p76 (0043.jp2)
  30. 4-2 実験方法 / p76 (0043.jp2)
  31. 4-3 結果と考察 / p78 (0044.jp2)
  32. 4-4 結論 / p89 (0049.jp2)
  33. 参考文献 / p91 (0050.jp2)
  34. 第5章 イオンビーム蒸着法によって作製した硬質炭素膜の解析 / p93 (0051.jp2)
  35. 5-1 はじめに / p93 (0051.jp2)
  36. 5-2 実験方法 / p93 (0051.jp2)
  37. 5-3 結果と考察 / p101 (0055.jp2)
  38. 5-4 結論 / p111 (0060.jp2)
  39. 参考文献 / p112 (0061.jp2)
  40. 第6章 低圧化学気相合成法(LPCVD)によって作製した極薄窒化シリコン膜の解析 / p114 (0062.jp2)
  41. 6-1 はじめに / p114 (0062.jp2)
  42. 6-2 窒化シリコンの成膜条件と材質と酸化特性 / p118 (0064.jp2)
  43. 6-3 窒化シリコン膜中の組成遷移層の分析法の確立と組成遷移層の抑制 / p127 (0068.jp2)
  44. 6-4 結論 / p139 (0074.jp2)
  45. 参考文献 / p140 (0075.jp2)
  46. 第7章 総括 / p141 (0075.jp2)
  47. 謝辞 / p145 (0077.jp2)
11access

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Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000171983
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000172257
  • DOI(NDL)
  • Text Lang
    • und
  • NDLBibID
    • 000000336297
  • Source
    • Institutional Repository
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

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