Ⅲ族窒化物半導体ヘテロ構造および歪量子井戸構造の結晶学的特性ならびに光学的特性に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
Ⅲ族窒化物半導体ヘテロ構造および歪量子井戸構造の結晶学的特性ならびに光学的特性に関する研究
- 著者名
-
竹内, 哲也
- 著者別名
-
タケウチ, テツヤ
- 学位授与大学
-
名城大学
- 取得学位
-
博士(工学)
- 学位授与番号
-
甲第33号
- 学位授与年月日
-
1999-03-18
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 本研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 本研究の目的および構成 / p8 (0009.jp2)
- 参考文献 / p10 (0010.jp2)
- 第2章 AlGaN/GaNおよびGaInN/GaNヘテロ構造の結晶学的特性ならびに光学的特性 / p13 (0011.jp2)
- 2.1 はじめに / p13 (0011.jp2)
- 2.2 結晶成長 / p14 (0012.jp2)
- 2.3 結晶学的特性 / p17 (0013.jp2)
- 2.4 光学的特性 / p23 (0016.jp2)
- 2.5 まとめ / p28 (0019.jp2)
- 参考文献 / p32 (0021.jp2)
- 第3章 III族窒化物半導体における圧電効果 / p33 (0021.jp2)
- 3.1 はじめに / p33 (0021.jp2)
- 3.2 III族窒化物半導体の圧電定数 / p33 (0021.jp2)
- 3.3 GaInN/GaNヘテロ構造に発生するピエゾ電界 / p36 (0023.jp2)
- 3.4 ピエゾ電界を考慮したGaInN歪量子井戸の光学的特性 / p39 (0024.jp2)
- 3.5 まとめ / p45 (0027.jp2)
- 参考文献 / p46 (0028.jp2)
- 第4章 GaInN歪量子井戸構造の光学的特性 / p47 (0028.jp2)
- 4.1 はじめに / p47 (0028.jp2)
- 4.2 実験方法 / p47 (0028.jp2)
- 4.3 フォトルミネッセンス特性 / p49 (0029.jp2)
- 4.4 まとめ / p56 (0033.jp2)
- 参考文献 / p57 (0033.jp2)
- 第5章 GaInN歪量子井戸構造における外因性量子閉じ込めシュタルク効果 / p58 (0034.jp2)
- 5.1 はじめに / p58 (0034.jp2)
- 5.2 実験方法 / p58 (0034.jp2)
- 5.3 フォトルミネッセンスの印加電圧依存性 / p61 (0035.jp2)
- 5.4 ピエゾ電界強度の決定 / p66 (0038.jp2)
- 5.5 成長面の極性判定 / p69 (0039.jp2)
- 5.6 まとめ / p74 (0042.jp2)
- 参考文献 / p77 (0043.jp2)
- 第6章 III族窒化物半導体における圧電効果の面方位依存性 / p79 (0044.jp2)
- 6.1 はじめに / p79 (0044.jp2)
- 6.2 GaInN/GaNヘテロ構造に発生するピエゾ電界の面方位依存性 / p80 (0045.jp2)
- 6.3 GaInN歪量子井戸構造における光学的特性の面方位依存性 / p84 (0047.jp2)
- 6.4 まとめ / p89 (0049.jp2)
- 参考文献 / p90 (0050.jp2)
- 第7章 総括 / p91 (0050.jp2)
- 付録 / p97 (0053.jp2)
- A 圧電定数の基底変換 / p97 (0053.jp2)
- B 電界の存在する量子井戸におけるエネルギー準位の計算 / p100 (0055.jp2)
- C フォトルミネッセンススペクトルにおける干渉効果の除去 / p103 (0056.jp2)
- 謝辞 / p105 (0057.jp2)
- 本研究に関する発表 / p106 (0058.jp2)