同軸形直衝突イオン散乱分光法による固体最表面領域の構造解析に関する研究

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著者

    • 石山, 修 イシヤマ, オサム

書誌事項

タイトル

同軸形直衝突イオン散乱分光法による固体最表面領域の構造解析に関する研究

著者名

石山, 修

著者別名

イシヤマ, オサム

学位授与大学

立命館大学

取得学位

博士(理学)

学位授与番号

乙第237号

学位授与年月日

1999-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1-1 本研究の背景 / p1 (0004.jp2)
  4. 1-2 本研究の目的 / p2 (0005.jp2)
  5. 1-3 本論文の構成 / p5 (0006.jp2)
  6. 参考文献 / p7 (0007.jp2)
  7. 第2章 同軸形直衝突イオン散乱分光法(CAICISS)の原理とハードウェア構成 / p8 (0008.jp2)
  8. 2-1 直衝突イオン散乱分光法 / p8 (0008.jp2)
  9. 2-2 CAICISSによる表面構造解析 / p12 (0010.jp2)
  10. 2-3 CAICISSのハードウェア構成 / p16 (0012.jp2)
  11. 2-4 実験装置 / p19 (0013.jp2)
  12. 参考文献 / p21 (0014.jp2)
  13. 第3章 Ionized Cluster Beam法により作製したAs/Si(100)の表面構造解析 / p22 (0015.jp2)
  14. 3-1 緒言 / p22 (0015.jp2)
  15. 3-2 実験方法 / p26 (0017.jp2)
  16. 3-3 解析結果と考察 / p30 (0019.jp2)
  17. 3-4 まとめ / p43 (0025.jp2)
  18. 参考文献 / p44 (0026.jp2)
  19. 第4章 SrTiO₃(001)の表面構造解析 / p45 (0026.jp2)
  20. 4-1 緒言 / p45 (0026.jp2)
  21. 4-2 試料処理方法 / p48 (0028.jp2)
  22. 4-3 解析結果と考察 / p49 (0028.jp2)
  23. 4-4 まとめ / p68 (0038.jp2)
  24. 参考文献 / p69 (0038.jp2)
  25. 第5章 6H-SiC(0001)の表面構造解析 / p71 (0039.jp2)
  26. 5-1 緒言 / p71 (0039.jp2)
  27. 5-2 試料作製方法 / p73 (0040.jp2)
  28. 5-3 解析結果と考察 / p74 (0041.jp2)
  29. 5-4 まとめ / p80 (0044.jp2)
  30. 参考文献 / p81 (0044.jp2)
  31. 第6章 結論 / p82 (0045.jp2)
  32. 付録 信号強度の角度依存性に対するシミュレーション・プログラム / A-1 / (0046.jp2)
  33. 謝辞 / (0053.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000172862
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173138
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000337176
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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