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Mechanism of self-assembled organic films on cleaved Ⅲ-Ⅴ semiconductor surfaces and its nanostructural fabrication Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体表面における自己組織化膜の吸着機構とナノ構造形成

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著者

    • 大野, 公隆 オオノ, ヒロタカ

書誌事項

タイトル

Mechanism of self-assembled organic films on cleaved Ⅲ-Ⅴ semiconductor surfaces and its nanostructural fabrication

タイトル別名

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体表面における自己組織化膜の吸着機構とナノ構造形成

著者名

大野, 公隆

著者別名

オオノ, ヒロタカ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第4331号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序 論 / p1 (0005.jp2)
  3. 第1-1節 緒言 / p1 (0005.jp2)
  4. 第1-2節 本研究の背景 / p3 (0006.jp2)
  5. 1-2-1 III-V族化合物半導体表面 / p3 (0006.jp2)
  6. 1-2-2 III-V化合物半導体の表面酸化 / p4 (0007.jp2)
  7. 1-2-3 GaAs(11O)の表面酸化機構 / p4 (0007.jp2)
  8. 1-2-4 GaAs(11O)の酸化に関わる表面準位 / p9 (0009.jp2)
  9. 1-2-5 化合物半導体エピタキシャル気相成長法 / p10 (0010.jp2)
  10. 1-2-6 有機自己組織化膜 / p12 (0011.jp2)
  11. 1-2-7 有機自己組織化膜の微細構造 / p15 (0012.jp2)
  12. 第1-3節 本研究の目的と概略 / p17 (0013.jp2)
  13. 第1-4節 本論文の構成 / p19 (0014.jp2)
  14. 第1-5節 結言 / p23 (0016.jp2)
  15. 参考文献 / p24 (0017.jp2)
  16. 第2章 実験装置 / p34 (0022.jp2)
  17. 第2-1節 装置の概略 / p34 (0022.jp2)
  18. 第2-2節 走査型プローブ顕微鏡 / p34 (0022.jp2)
  19. 2-2-1 走査型トンネル顕微鏡の原理 / p35 (0022.jp2)
  20. 2-2-2 原子間力顕微鏡の原理 / p37 (0023.jp2)
  21. 2-2-3 摩擦力顕微鏡の原理 / p38 (0024.jp2)
  22. 2-2-4 位相モード原子間力顕微鏡による表面弾性率測定 / p39 (0024.jp2)
  23. 第2-3節 光電子分光装置 / p40 (0025.jp2)
  24. 第2-4節 オージェ電子分光装置 / p41 (0025.jp2)
  25. 第2-5節 フォトルミネッセンス測定装置 / p41 (0025.jp2)
  26. 第2-6節 フーリエ変換赤外分光装置 / p41 (0025.jp2)
  27. 参考文献 / p43 (0026.jp2)
  28. 第3章 AlGaAs表面への硫化アンモニウム処理 / p45 (0027.jp2)
  29. 第3-1節 序節 / p45 (0027.jp2)
  30. 第3-2節 実験方法 / p45 (0027.jp2)
  31. 3-2-1 レーザ素子への硫化アンモニウム処理 / p46 (0028.jp2)
  32. 3-2-2 硫化アンモニウム処理したA1xGa1-xAs表面の評価 / p46 (0028.jp2)
  33. 第3-3節 A1xGa1-xAs表面への硫化アンモニウム処理の半導体レーザヘの応用 / p47 (0028.jp2)
  34. 3-3-1 レーザ素子特性 / p47 (0028.jp2)
  35. 3-3-2 硫化アンモニウム処理したA1xGa1-xAsの諸特性の評価 / p47 (0028.jp2)
  36. 第3-4節 考察 / p51 (0030.jp2)
  37. 第3-5節 まとめ / p52 (0031.jp2)
  38. 参考文献 / p54 (0032.jp2)
  39. 第4章 GaAs劈開面上のODT SAMの形成と脱離現象 / p56 (0033.jp2)
  40. 第4-1節 序節 / p56 (0033.jp2)
  41. 第4-2節 実験方法 / p57 (0033.jp2)
  42. 第4-3節 AFMによるODT SAM形成過程の観察 / p58 (0034.jp2)
  43. 第4-4節 GaAs(11O)上のODT SAMの表面構造 / p60 (0035.jp2)
  44. 第4-5節 GaAs(11O)上のSAMのODT分子脱離過程の観察 / p62 (0036.jp2)
  45. 第4-6節 考察 / p63 (0036.jp2)
  46. 第4-7節 まとめ / p64 (0037.jp2)
  47. 参考文献 / p66 (0038.jp2)
  48. 第5章 STM探針を用いたGaAs上ODTSAMのナノメータ加工 / p67 (0038.jp2)
  49. 第5-1節 序節 / p67 (0038.jp2)
  50. 第5-2節 実験方法 / p67 (0038.jp2)
  51. 第5-3節 実験結果 / p68 (0039.jp2)
  52. 5-3-1 パルス電圧印加によるGaAs上SAMの加工 / p69 (0039.jp2)
  53. 5-3-2 連続電圧走査によるSAMのパターニング / p71 (0040.jp2)
  54. 第5-4節 考察 / p72 (0041.jp2)
  55. 第5-5節 まとめ / p73 (0041.jp2)
  56. 参考文献 / p74 (0042.jp2)
  57. 第6章 III-V族化合物劈開面へのODT SAMの形成(分子吸着の基板材料への影響) / p76 (0043.jp2)
  58. 第6-1節 序節 / p76 (0043.jp2)
  59. 第6-2節 実験方法 / p77 (0043.jp2)
  60. 第6-3節 各種半導体上へのODT分子の吸着 / p78 (0044.jp2)
  61. 6-3-1 エタノール溶媒1mM ODT溶液でのSAM形成 / p78 (0044.jp2)
  62. 6-3-2 各基板におけるODT分子吸着速度の評価 / p81 (0045.jp2)
  63. 6-3-3 lnP基板上のODT SAMの形成 / p81 (0045.jp2)
  64. 第6-4節 考察 / p83 (0046.jp2)
  65. 6-4-1 表面エネルギーの定性的評価 / p84 (0047.jp2)
  66. 6-4-2 (110)面の表面酸化のし易さの評価 / p85 (0047.jp2)
  67. 6-4-3 Ab.initio法シュミレーションによるODT吸着エネルギーの評価 / p86 (0048.jp2)
  68. 6-4-4 III-V族化合物半導体表面ODT SAM形成速度 / p87 (0048.jp2)
  69. 第6-5節 まとめ / p88 (0049.jp2)
  70. 参考文献 / p89 (0049.jp2)
  71. 第7章 A1GaAs/GaAsヘテロ構造テンプレートを用いたSAMナノ構造の形成 / p90 (0050.jp2)
  72. 第7-1節 序節 / p90 (0050.jp2)
  73. 第7-2節 実験方法 / p90 (0050.jp2)
  74. 第7-3節 A1GaAs/GaAsヘテロ構造劈開面へのODT SAMナノ構造 / p91 (0050.jp2)
  75. 第7-4節 考察 / p94 (0052.jp2)
  76. 7-4-1 SAMナノ構造形成研究の現状 / p94 (0052.jp2)
  77. 7-4-2 SAM微細構造の形成限界 / p96 (0053.jp2)
  78. 第7-5節 まとめ / p98 (0054.jp2)
  79. 参考文献 / p99 (0054.jp2)
  80. 第8章 メルカプト酢酸と金属イオン相互作用を用いたGaAs上への自己組織化多層膜の形成 / p101 (0055.jp2)
  81. 第8-1節 序節 / p101 (0055.jp2)
  82. 第8-2節 実験方法 / p102 (0056.jp2)
  83. 第8-3節 GaAs劈開面上へのメルカプト酢酸自己組織化単分子膜の形成 / p102 (0056.jp2)
  84. 第8-4節 GaAs劈開面上へのメルカプト酢酸自己組織化2層膜の形成 / p105 (0057.jp2)
  85. 第8-5節 まとめ / p110 (0060.jp2)
  86. 参考文献 / p111 (0060.jp2)
  87. 第9章 結論 / p112 (0061.jp2)
  88. 謝辞 / p116 (0063.jp2)
  89. 本研究に関連した論文 / p118 (0064.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173034
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173310
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000337348
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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