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GaN薄膜の基板材料およびエピタキシャル成長に関する結晶学的研究 GaN ハクマク ノ キバン ザイリョウ オヨビ エピタキシャル セイチョウ ニカンスル ケッショウガクテキ ケンキュウ

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著者

    • 加藤, 智久 カトウ, トモヒサ

書誌事項

タイトル

GaN薄膜の基板材料およびエピタキシャル成長に関する結晶学的研究

タイトル別名

GaN ハクマク ノ キバン ザイリョウ オヨビ エピタキシャル セイチョウ ニカンスル ケッショウガクテキ ケンキュウ

著者名

加藤, 智久

著者別名

カトウ, トモヒサ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第245号

学位授与年月日

1999-03-24

注記・抄録

博士論文

主査:奥田 高士

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第一章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1-1 GaNの研究開発の背景と歴史 / p1 (0006.jp2)
  4. 1-2 GaNの特徴 / p3 (0007.jp2)
  5. 1-3 本研究の目的と構成 / p4 (0008.jp2)
  6. 第一章の参考文献 / p5 (0008.jp2)
  7. 第二章 GaN成長機構の解析と各種基板材料の有用性の評価 / p8 (0010.jp2)
  8. 2-1 緒言 / p8 (0010.jp2)
  9. 2-2 基礎事項 / p9 (0010.jp2)
  10. 2-3 評価方法 / p16 (0014.jp2)
  11. 2-4 GaN成長モデル / p19 (0015.jp2)
  12. 2-5 考察 / p91 (0051.jp2)
  13. 2-6 まとめ / p94 (0053.jp2)
  14. 第二章の参考文献 / p95 (0053.jp2)
  15. 第三章 六方晶SiC単結晶の欠陥および結晶性の評価 / p98 (0055.jp2)
  16. 3-1 緒言 / p98 (0055.jp2)
  17. 3-2 SiC / p99 (0055.jp2)
  18. 3-3 実験および評価方法 / p107 (0059.jp2)
  19. 3-4 六方晶SiCバルク単結晶の評価 / p116 (0064.jp2)
  20. 3-5 まとめ / p148 (0084.jp2)
  21. 第三章の参考文献 / p149 (0084.jp2)
  22. 第四章 SiC単結晶基板上のGaN単結晶薄膜の成長と評価 / p151 (0085.jp2)
  23. 4-1 緒言 / p151 (0085.jp2)
  24. 4-2 実験および評価方法 / p151 (0085.jp2)
  25. 4-3 結果と考察 / p156 (0088.jp2)
  26. 4-4 まとめ / p171 (0095.jp2)
  27. 第四章の参考文献 / p172 (0096.jp2)
  28. 第五章 総括 / p174 (0097.jp2)
  29. 謝辞 / p177 (0098.jp2)
  30. 研究業績 / p178 (0099.jp2)
  31. 論文発表 / p178 (0099.jp2)
  32. 口頭発表 / p179 (0099.jp2)
  33. 研究歴 / p181 (0100.jp2)
  34. 受賞 / p181 (0100.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173143
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173419
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000337457
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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