【12/14(木)17時より】CiNiiの常時SSL化(HTTPS接続)について

反応性スパッタによるⅣa族窒化物薄膜の作製および物性評価

この論文をさがす

著者

    • 安藤, 豊 アンドウ, ユタカ

書誌事項

タイトル

反応性スパッタによるⅣa族窒化物薄膜の作製および物性評価

著者名

安藤, 豊

著者別名

アンドウ, ユタカ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第264号

学位授与年月日

1999-03-24

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 第一章 序論 / p3 (0005.jp2)
  3. 1.1 IVa族窒化物薄膜 / p3 (0005.jp2)
  4. 1 .2 IVa族窒化物薄膜の作製 / p10 (0008.jp2)
  5. 1.3 薄膜の性質 / p16 (0011.jp2)
  6. 1.4 本研究の目的と概要 / p20 (0013.jp2)
  7. 参考文献 / p21 (0014.jp2)
  8. 第二章 実験 / p22 (0014.jp2)
  9. 2.1 薄膜の作製 / p22 (0014.jp2)
  10. 2.2 薄膜の評価 / p23 (0015.jp2)
  11. 参考文献 / p27 (0017.jp2)
  12. 第三章 スパッタHfN薄膜に対する基板バイアスの効果 / p28 (0017.jp2)
  13. 3.1 はじめに / p28 (0017.jp2)
  14. 3.2 実験 / p28 (0017.jp2)
  15. 3.3 結果と考察 / p29 (0018.jp2)
  16. 3.4 まとめ / p42 (0024.jp2)
  17. 参考文献 / p42 (0024.jp2)
  18. 第四章 IVa族窒化物薄膜に対する酸素不純物の影響 / p43 (0025.jp2)
  19. 4.1 はじめに / p43 (0025.jp2)
  20. 4.2 実験 / p43 (0025.jp2)
  21. 4.3 結果と考察 / p44 (0025.jp2)
  22. 4.4 まとめ / p65 (0036.jp2)
  23. 参考文献 / p65 (0036.jp2)
  24. 第五章 組み合わせ反応性スパッタによる複合窒化物薄膜の作製と構造・物性 / p66 (0036.jp2)
  25. 5.1 はじめに / p66 (0036.jp2)
  26. 5.2 実験 / p66 (0036.jp2)
  27. 5.3 結果と考察 / p70 (0038.jp2)
  28. 5.4 まとめ / p92 (0049.jp2)
  29. 参考文献 / p92 (0049.jp2)
  30. 第六章 IVa族窒化物薄膜の構造欠陥と電気的性質 / p93 (0050.jp2)
  31. 6.1 はじめに / p93 (0050.jp2)
  32. 6.2 Disordered metalの輸送現象 / p93 (0050.jp2)
  33. 6.3 実験 / p95 (0051.jp2)
  34. 6.4 結果と考察 / p95 (0051.jp2)
  35. 6.5 まとめ / p110 (0058.jp2)
  36. 参考文献 / p110 (0058.jp2)
  37. 第七章 総括 / p111 (0059.jp2)
  38. 7.1 スパッタHfN薄膜に対する基板バイアスの効果 / p111 (0059.jp2)
  39. 7.2 IVa族窒化物薄膜に対する酸素不純物の影響 / p115 (0061.jp2)
  40. 7.3 IVa族窒化物薄膜の構造欠陥と電気的性質 / p116 (0061.jp2)
  41. 7.4 組み合わせ反応性スパッタによる複合窒化物薄膜の作製と構造・物性 / p116 (0061.jp2)
  42. 発表論文 / p119 (0063.jp2)
  43. 謝辞 / p122 (0064.jp2)
0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173162
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173438
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000337476
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ