半導体集積回路に用いられるアルミ配線膜の実デバイスにおける信頼性要因と対策に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
半導体集積回路に用いられるアルミ配線膜の実デバイスにおける信頼性要因と対策に関する研究
- 著者名
-
和田, 哲明
- 著者別名
-
ワダ, テツアキ
- 学位授与大学
-
電気通信大学
- 取得学位
-
博士(工学)
- 学位授与番号
-
乙第46号
- 学位授与年月日
-
1999-03-24
注記・抄録
博士論文
目次
- Abstract / (0005.jp2)
- 目次 / (0008.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0010.jp2)
- 1.1 緒言 / p1 (0010.jp2)
- 1.2 Aℓ配線の特徴と問題点 / p2 (0011.jp2)
- 1.3 本論文の目的と各章の概要 / p10 (0015.jp2)
- 第2章 Aℓ配線におけるエレクトロマイグレーションの理論的背景 / p15 (0017.jp2)
- 2.1 緒言 / p15 (0017.jp2)
- 2.2 エレクトロマイグレーション現象 / p16 (0018.jp2)
- 2.3 Aℓイオンの質量移動 / p20 (0020.jp2)
- 2.4 エレクトロマイグレーション,Aℓ腐食と信頼性 / p25 (0022.jp2)
- 2.5 結言 / p28 (0024.jp2)
- 第3章 エレクトロマイグレーションの実験的背景 / p29 (0024.jp2)
- 3.1 エレクトロマイグレーションに寄与する試験要因 / p29 (0024.jp2)
- 3.2 エレクトロマイグレーションに寄与する配線膜要因 / p31 (0025.jp2)
- 3.3 結言 / p37 (0028.jp2)
- 第4章 実際のデバイスに即したエレクトロマイグレーション故障の検討 / p38 (0029.jp2)
- 4.1 緒言 / p38 (0029.jp2)
- 4.2 段差部の影響 / p39 (0030.jp2)
- 4.3 絶縁膜の影響 / p44 (0032.jp2)
- 4.4 パッケージの影響 / p48 (0034.jp2)
- 4.5 近接配線電圧の影響 / p51 (0036.jp2)
- 4.6 抵抗素子構造のエレクトロマイグレーション / p55 (0038.jp2)
- 4.7 トランジスタ構造のエレクトロマイグレーション / p58 (0039.jp2)
- 4.8 サブミクロン配線(Wプラグ,CMP) / p65 (0043.jp2)
- 4.9 結言 / p70 (0045.jp2)
- 第5章 近接配線電圧及びパッケージ･保護膜の影響についての詳細解析 / p71 (0046.jp2)
- 5.1 外部要因の影響(質量移動の発散) / p71 (0046.jp2)
- 5.2 近接配線電圧の影響解析(電界効果) / p74 (0048.jp2)
- 5.3 保護膜･パッケージの影響解析(保護膜のマイクロクラック) / p85 (0053.jp2)
- 5.4 結言 / p96 (0059.jp2)
- 第6章 エレクトロマイグレーション故障の低減化 / (0059.jp2)
- 6.1 緒言 / p97 (0059.jp2)
- 6.2 近接放熱配線の検討 / p97 (0059.jp2)
- 6.3 表面酸化処理効果の検討 / p103 (0062.jp2)
- 6.4 結言 / p109 (0065.jp2)
- 第7章 Aℓ配線における腐食現象 / p110 (0066.jp2)
- 7.1 緒言 / p110 (0066.jp2)
- 7.2 腐食モードとメカニズム / p111 (0067.jp2)
- 7.3 試験方法の動向 / p115 (0069.jp2)
- 7.4 Aℓ腐食に対する諸効果と抑制 / p117 (0070.jp2)
- 7.5 結言 / p118 (0070.jp2)
- 第8章 腐食現象の解析 / p119 (0071.jp2)
- 8.1 緒言 / p119 (0071.jp2)
- 8.2 加速試験方法の確立 / p120 (0072.jp2)
- 8.3 Aℓ腐食の加速要因検討 / p123 (0073.jp2)
- 8.4 多層配線構造の腐食 / p131 (0077.jp2)
- 8.5 配線寸法依存性 / p136 (0080.jp2)
- 8.6 配線間リーグ電流(腐食電流) / p142 (0083.jp2)
- 8.7 保護膜開放部のAℓ腐食 / p145 (0084.jp2)
- 8.8 結言 / p148 (0086.jp2)
- 第9章 腐食現象の低減化 / p149 (0086.jp2)
- 9.1 緒言 / p149 (0086.jp2)
- 9.2 保護膜SiNの効果 / p150 (0087.jp2)
- 9.3 表面酸化処理の効果 / p155 (0089.jp2)
- 9.4 結言 / p156 (0090.jp2)
- 第10章 最先端デバイスにおける本研究成果の重要性 / p157 (0090.jp2)
- 10.1 緒言 / p157 (0090.jp2)
- 10.2 エレクトロマイグレーションのデザインルールにおける活用 / p157 (0090.jp2)
- 10.3 SiN保護膜の重要性 / p160 (0092.jp2)
- 10.4 不飽和PCTによる耐湿性加速寿命試験方法 / p161 (0092.jp2)
- 10.5 結言 / p162 (0093.jp2)
- 第11章 まとめ / p164 (0094.jp2)
- 参考文献 / p167 (0096.jp2)
- 謝辞 / p172 (0099.jp2)
- 研究業績(関連発表論文および資料) / p173 (0100.jp2)