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大規模なSi,O系を扱う計算機シュミレーション技術の構築

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著者

    • 渡邉, 孝信 ワタナベ, タカノブ

書誌事項

タイトル

大規模なSi,O系を扱う計算機シュミレーション技術の構築

著者名

渡邉, 孝信

著者別名

ワタナベ, タカノブ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第1373号

学位授与年月日

1999-03-15

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 1 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 研究の背景および目的 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 本論文の概要 / p4 (0009.jp2)
  5. 2 分子動力学計算プログラムの開発 / p7 (0012.jp2)
  6. 2.1 プログラム開発の目的 / p7 (0012.jp2)
  7. 2.2 分子動力学法の基本手順 / p12 (0017.jp2)
  8. 2.3 温度・圧力の制御法 / p17 (0022.jp2)
  9. 2.4 構造最適化法 / p26 (0031.jp2)
  10. 2.5 計算の高速化方法 / p30 (0035.jp2)
  11. 2.6 第2章のまとめ / p34 (0039.jp2)
  12. 3 Si,O系用原子間ポテンシャル関数の開発 / p37 (0042.jp2)
  13. 3.1 従来のポテンシャル関数 / p37 (0042.jp2)
  14. 3.2 ポテンシャル関数の開発方針 / p54 (0059.jp2)
  15. 3.3 Si,O系用のポテンシャル関数 / p58 (0063.jp2)
  16. 3.4 ポテンシャルパラメータの決定 / p68 (0073.jp2)
  17. 3.5 第3章のまとめ / p84 (0089.jp2)
  18. 4 Si,O系用ポテンシャル関数の性能評価 / p87 (0092.jp2)
  19. 4.1 シリカ多形の格子エネルギー計算 / p87 (0092.jp2)
  20. 4.2 アモルファスSiO₂構造再現能力の評価 / p94 (0099.jp2)
  21. 4.3 SiO₂/Si構造のモデリング / p104 (0109.jp2)
  22. 4.4 第4章のまとめ / p133 (0138.jp2)
  23. 5 大規模分子シミュレーション技法の検討 / p138 (0143.jp2)
  24. 5.1 半経験的分子軌道法を用いたSi表面からのH₂脱離機構の計算 / p139 (0144.jp2)
  25. 5.2 Monte Carlo法によるSi(111)-1×1表面上の吸着原子周期配列の成因の検討 / p156 (0161.jp2)
  26. 5.3 第5章のまとめ / p172 (0177.jp2)
  27. 6 総論 / p175 (0180.jp2)
  28. 謝辞 / p179 (0184.jp2)
  29. 研究業績 / p180 (0185.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173652
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173928
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000337966
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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