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シリコンウェーハの電気的特性評価に関する研究 shirikon weha no denkiteki tokusei hyoka ni kansuru kenkyu

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著者

    • 村上, 義男 ムラカミ, ヨシオ

書誌事項

タイトル

シリコンウェーハの電気的特性評価に関する研究

タイトル別名

shirikon weha no denkiteki tokusei hyoka ni kansuru kenkyu

著者名

村上, 義男

著者別名

ムラカミ, ヨシオ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

乙第1396号

学位授与年月日

1998-10-15

注記・抄録

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:乙1396号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-10-15 ; 早大学位記番号:新2693 ; 理工学図書館請求番号:2276

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章、序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1、研究の背景―LSIデバイスの信頼性に要求される結晶起因の電気的特性― / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2、シリコンプロセスの概要 / p6 (0007.jp2)
  5. 1-3、シリコン半導体の電気的特性評価法の概要 / p8 (0008.jp2)
  6. 1-4、本研究の目的と論文の構成 / p11 (0010.jp2)
  7. 1-5、参考文献 / p14 (0011.jp2)
  8. 第2章、各種のシリコンウェーハに形成した酸化膜の絶縁破壊特性 / p15 (0012.jp2)
  9. 2-1、緒言 / p15 (0012.jp2)
  10. 2-2、実験方法 / p15 (0012.jp2)
  11. 2-3、酸化膜絶縁破壊特性のウェーハ(CZ、FZ、エピ)依存性 / p23 (0016.jp2)
  12. 2-4、酸化膜の絶縁破壊特性の電極面積依存性 / p30 (0019.jp2)
  13. 2-5、酸化膜の絶禄破壊特性の酸化膜厚・酸化方法(ドライ、ウエット)依存性 / p35 (0022.jp2)
  14. 2-6、酸化膜の絶縁破壊特性に及ぼす電極材料、電極形成条件の影響 / p43 (0026.jp2)
  15. 2-7、酸化膜の絶縁破壊特性に及ぼす基板ドーパント濃度、伝導型の影響 / p51 (0030.jp2)
  16. 2-8、結言 / p62 (0035.jp2)
  17. 2-9、参考文献 / p63 (0036.jp2)
  18. 第3章、シリコン中のバルク微小欠陥の酸化膜絶縁破壊への影響 / p64 (0036.jp2)
  19. 3-1、緒言 / p64 (0036.jp2)
  20. 3-2、実験方法 / p64 (0036.jp2)
  21. 3-3、grown-in欠陥の影響 / p65 (0037.jp2)
  22. 3-4、プロセス誘起欠陥の影響 / p76 (0042.jp2)
  23. 3-5、バルク欠陥による酸化膜絶縁破壊のモデル / p92 (0050.jp2)
  24. 3-6、結言 / p96 (0052.jp2)
  25. 3-7、参考文献 / p97 (0053.jp2)
  26. 第4章、各種のシリコンウェーハに形成したpn接合のリーク電流特性 / p100 (0054.jp2)
  27. 4-1、緒言 / p100 (0054.jp2)
  28. 4-2、実験万法 / p100 (0054.jp2)
  29. 4-3、pn接合リーク電流のウェーハ(CZ、FZ、エピ、IG)依存性 / p107 (0058.jp2)
  30. 4-4、各種リーク成分(拡散、発生、表面)の分離評価 / p107 (0058.jp2)
  31. 4-5、基板ドーパント濃度、基板構造による拡散成分の変化 / p109 (0059.jp2)
  32. 4-6、各種の基板構造(IG、エピ、SOI)における拡散電流の一般式の導出 / p122 (0065.jp2)
  33. 4-7、基板ドーパント濃度による発生成分の変化 / p134 (0071.jp2)
  34. 4-8、酸素に起因した正孔トラップによるリーク電流のトランジェント成分 / p141 (0075.jp2)
  35. 4-9、結言 / p147 (0078.jp2)
  36. 4-10、参考文献 / p148 (0078.jp2)
  37. 第5章、シリコン中のバルク微小欠陥によるpn接合リーク電流の増大 / p150 (0079.jp2)
  38. 5-1、緒言 / p150 (0079.jp2)
  39. 5-2、実験方法 / p150 (0079.jp2)
  40. 5-3、プロセス誘起欠陥の影響 / p153 (0081.jp2)
  41. 5-4 grown-in欠陥の影響 / p181 (0095.jp2)
  42. 5-5、バルク欠陥によるリーク増大のメ力二ズム / p185 (0097.jp2)
  43. 5-6、結言 / p188 (0098.jp2)
  44. 5-7、参考文献 / p189 (0099.jp2)
  45. 第6章、ライフタイム、DLTS法による高感度重金属汚染評価 / p191 (0100.jp2)
  46. 6-1、緒言―重金属汚染による電気特性の劣化― / p191 (0100.jp2)
  47. 6-2、実験方法 / p194 (0101.jp2)
  48. 6-3、金属汚染のウェーハ面内分布の評価 / p198 (0103.jp2)
  49. 6-4、IGウェーハのゲッタリング能力評価 / p209 (0109.jp2)
  50. 6-5、結言 / p213 (0111.jp2)
  51. 6-6、参考文献 / p214 (0111.jp2)
  52. 第7章、結論 / p215 (0112.jp2)
  53. 省略語一覧 / p220 (0114.jp2)
  54. 謝辞 / p221 (0115.jp2)
  55. 研究業績一覧 / p222 (0115.jp2)
4アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173671
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173947
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000337985
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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