シリコンウェーハの電気的特性評価に関する研究 shirikon weha no denkiteki tokusei hyoka ni kansuru kenkyu
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著者
書誌事項
- タイトル
-
シリコンウェーハの電気的特性評価に関する研究
- タイトル別名
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shirikon weha no denkiteki tokusei hyoka ni kansuru kenkyu
- 著者名
-
村上, 義男
- 著者別名
-
ムラカミ, ヨシオ
- 学位授与大学
-
早稲田大学
- 取得学位
-
博士(工学)
- 学位授与番号
-
乙第1396号
- 学位授与年月日
-
1998-10-15
注記・抄録
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:乙1396号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1998-10-15 ; 早大学位記番号:新2693 ; 理工学図書館請求番号:2276
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章､序論 / p1 (0005.jp2)
- 1-1､研究の背景―LSIデバイスの信頼性に要求される結晶起因の電気的特性― / p1 (0005.jp2)
- 1-2､シリコンプロセスの概要 / p6 (0007.jp2)
- 1-3､シリコン半導体の電気的特性評価法の概要 / p8 (0008.jp2)
- 1-4､本研究の目的と論文の構成 / p11 (0010.jp2)
- 1-5､参考文献 / p14 (0011.jp2)
- 第2章､各種のシリコンウェーハに形成した酸化膜の絶縁破壊特性 / p15 (0012.jp2)
- 2-1､緒言 / p15 (0012.jp2)
- 2-2､実験方法 / p15 (0012.jp2)
- 2-3､酸化膜絶縁破壊特性のウェーハ(CZ､FZ､エピ)依存性 / p23 (0016.jp2)
- 2-4､酸化膜の絶縁破壊特性の電極面積依存性 / p30 (0019.jp2)
- 2-5､酸化膜の絶禄破壊特性の酸化膜厚･酸化方法(ドライ､ウエット)依存性 / p35 (0022.jp2)
- 2-6､酸化膜の絶縁破壊特性に及ぼす電極材料､電極形成条件の影響 / p43 (0026.jp2)
- 2-7､酸化膜の絶縁破壊特性に及ぼす基板ドーパント濃度､伝導型の影響 / p51 (0030.jp2)
- 2-8､結言 / p62 (0035.jp2)
- 2-9､参考文献 / p63 (0036.jp2)
- 第3章､シリコン中のバルク微小欠陥の酸化膜絶縁破壊への影響 / p64 (0036.jp2)
- 3-1､緒言 / p64 (0036.jp2)
- 3-2､実験方法 / p64 (0036.jp2)
- 3-3､grown-in欠陥の影響 / p65 (0037.jp2)
- 3-4､プロセス誘起欠陥の影響 / p76 (0042.jp2)
- 3-5､バルク欠陥による酸化膜絶縁破壊のモデル / p92 (0050.jp2)
- 3-6､結言 / p96 (0052.jp2)
- 3-7､参考文献 / p97 (0053.jp2)
- 第4章､各種のシリコンウェーハに形成したpn接合のリーク電流特性 / p100 (0054.jp2)
- 4-1､緒言 / p100 (0054.jp2)
- 4-2､実験万法 / p100 (0054.jp2)
- 4-3､pn接合リーク電流のウェーハ(CZ､FZ､エピ､IG)依存性 / p107 (0058.jp2)
- 4-4､各種リーク成分(拡散､発生､表面)の分離評価 / p107 (0058.jp2)
- 4-5､基板ドーパント濃度､基板構造による拡散成分の変化 / p109 (0059.jp2)
- 4-6､各種の基板構造(IG､エピ､SOI)における拡散電流の一般式の導出 / p122 (0065.jp2)
- 4-7､基板ドーパント濃度による発生成分の変化 / p134 (0071.jp2)
- 4-8､酸素に起因した正孔トラップによるリーク電流のトランジェント成分 / p141 (0075.jp2)
- 4-9､結言 / p147 (0078.jp2)
- 4-10､参考文献 / p148 (0078.jp2)
- 第5章､シリコン中のバルク微小欠陥によるpn接合リーク電流の増大 / p150 (0079.jp2)
- 5-1､緒言 / p150 (0079.jp2)
- 5-2､実験方法 / p150 (0079.jp2)
- 5-3､プロセス誘起欠陥の影響 / p153 (0081.jp2)
- 5-4 grown-in欠陥の影響 / p181 (0095.jp2)
- 5-5､バルク欠陥によるリーク増大のメ力二ズム / p185 (0097.jp2)
- 5-6､結言 / p188 (0098.jp2)
- 5-7､参考文献 / p189 (0099.jp2)
- 第6章､ライフタイム､DLTS法による高感度重金属汚染評価 / p191 (0100.jp2)
- 6-1､緒言―重金属汚染による電気特性の劣化― / p191 (0100.jp2)
- 6-2､実験方法 / p194 (0101.jp2)
- 6-3､金属汚染のウェーハ面内分布の評価 / p198 (0103.jp2)
- 6-4､IGウェーハのゲッタリング能力評価 / p209 (0109.jp2)
- 6-5､結言 / p213 (0111.jp2)
- 6-6､参考文献 / p214 (0111.jp2)
- 第7章､結論 / p215 (0112.jp2)
- 省略語一覧 / p220 (0114.jp2)
- 謝辞 / p221 (0115.jp2)
- 研究業績一覧 / p222 (0115.jp2)
