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LSI多層配線における低誘電率層間絶縁膜に関する研究 eruesuai taso haisen ni okeru tei yudenritsu sokan zetsuenmaku ni kansuru kenkyu

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著者

    • 遠藤, 和彦 エンドウ, カズヒコ

書誌事項

タイトル

LSI多層配線における低誘電率層間絶縁膜に関する研究

タイトル別名

eruesuai taso haisen ni okeru tei yudenritsu sokan zetsuenmaku ni kansuru kenkyu

著者名

遠藤, 和彦

著者別名

エンドウ, カズヒコ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

乙第1443号

学位授与年月日

1999-03-04

注記・抄録

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:乙1443号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1999-03-4 ; 早大学位記番号:新2817 ; 理工学図書館請求番号:2366

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 LSIにおける多層配線技術とその高性能化の課題 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.3 低誘電率層間絶縁膜の必要性とその課題 / p5 (0007.jp2)
  6. 1.4 本研究の目的 / p15 (0012.jp2)
  7. 1.5 本論文の構成 / p16 (0013.jp2)
  8. 第1章の参考文献 / p18 (0014.jp2)
  9. 第2章 ポリイミド膜の低誘電率化 / p20 (0015.jp2)
  10. 2.1 ポリイミド膜の特性と層間絶縁膜としての課題 / p20 (0015.jp2)
  11. 2.2 ポリイミド膜のフッ素プラズマ照射によるフッ素化 / p23 (0016.jp2)
  12. 2.3 フッ素化ポリイミド膜の電気特性 / p29 (0019.jp2)
  13. 2.4 第2章のまとめ / p34 (0022.jp2)
  14. 第2章の参考文献 / p35 (0022.jp2)
  15. 第3章 アモルファスカーボン膜を用いた低誘電率絶縁膜の開発 / p36 (0023.jp2)
  16. 3.1 気相成長による低誘電率絶縁膜堆積の必要性 / p36 (0023.jp2)
  17. 3.2 平行平板型プラズマCVDによるアモルファスカーボン膜の堆積 / p38 (0024.jp2)
  18. 3.3 ヘリコン派高密度プラズマCVDによる堆積 / p54 (0032.jp2)
  19. 3.4 アモルファスカーボン膜のフッ素含有量制御 / p64 (0037.jp2)
  20. 3.5 アモルファスカーボン膜の低誘電率化のメカニズム / p73 (0041.jp2)
  21. 3.6 第3章のまとめ / p86 (0048.jp2)
  22. 第3章の参考文献 / p87 (0048.jp2)
  23. 第4章 フッ素化アモルファスカーボン膜を層間に用いた多層配線の開発 / p89 (0049.jp2)
  24. 4.1 低誘電率絶縁膜を用いた多層配線技術の課題 / p89 (0049.jp2)
  25. 4.2 バイアス印加による微細配線間への埋め込み / p92 (0051.jp2)
  26. 4.3 SIO₂膜を補助に用いた多層配線化 / p97 (0053.jp2)
  27. 4.4 フッ素化アモルファスカーボン膜を用いた多層配線の電気特性 / p108 (0059.jp2)
  28. 4.5 第4章のまとめ / p109 (0059.jp2)
  29. 第4章の参考文献 / p111 (0060.jp2)
  30. 第5章 結論 / p113 (0061.jp2)
  31. 発表論文リスト / p115 (0062.jp2)
  32. 謝辞 / p119 (0064.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173718
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173994
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000338032
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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