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カルコパイライト混晶薄膜の製作と太陽電池への応用

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著者

    • 大橋, 剛 オオハシ, ツヨシ

書誌事項

タイトル

カルコパイライト混晶薄膜の製作と太陽電池への応用

著者名

大橋, 剛

著者別名

オオハシ, ツヨシ

学位授与大学

信州大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第159号

学位授与年月日

1999-03-20

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0004.jp2)
  4. 1.2 カルコパイライト混晶薄膜 / p1 (0004.jp2)
  5. 1.3 研究目的 / p3 (0005.jp2)
  6. 第2章 CuIn(SχSe₁₋χ)₂薄膜の製作 / p5 (0006.jp2)
  7. 2.1 硫化法及びセレン化法によるCuIn(SχSe₁₋χ)₂薄膜の製作 / p5 (0006.jp2)
  8. 2.2 青酸カリ(KCN)処理 / p10 (0009.jp2)
  9. 第3章 CuIn(SχSe₁₋χ)₂薄膜の物性 / p11 (0009.jp2)
  10. 3.1 X線回折 / p11 (0009.jp2)
  11. 3.2 EPMAによる組成分析 / p13 (0010.jp2)
  12. 3.3 XPSによるデプスプロファイル / p14 (0011.jp2)
  13. 3.4 KCN処理の効果 / p15 (0011.jp2)
  14. 第4章 薄膜太陽電池の製作と評価法 / p17 (0012.jp2)
  15. 4.1 溶液成長法によるCdS薄膜の堆積 / p17 (0012.jp2)
  16. 4.2 スパッタリング法によるIn₂O₃薄膜の堆積 / p19 (0013.jp2)
  17. 4.3 太陽電池の評価法 / p21 (0014.jp2)
  18. 4.4 キャリアの寿命と内蔵電界が太陽電池の特性に与える影響 / p23 (0015.jp2)
  19. 第5章 CuIn(SχSe₁₋χ)₂薄膜太陽電池の諸特性 / p30 (0019.jp2)
  20. 5.1 光電変換特性 / p30 (0019.jp2)
  21. 5.2 スペクトル応答 / p31 (0019.jp2)
  22. 第6章 Cu(In₁₋χGaχ)S₂薄膜の製作 / p32 (0020.jp2)
  23. 6.1 硫化法によるCu(In₁₋χGaχ)S₂薄膜の製作 / p32 (0020.jp2)
  24. 6.2 従来の硫化法の問題点とその改善方法 / p33 (0020.jp2)
  25. 第7章 Cu(In₁₋χGaχ)S₂薄膜の物性 / p38 (0023.jp2)
  26. 7.1 X線回折 / p38 (0023.jp2)
  27. 7.2 光学的特性 / p43 (0025.jp2)
  28. 7.3 XPSによるデプスプロファイル / p46 (0027.jp2)
  29. 7.4 電気的特性 / p48 (0028.jp2)
  30. 7.5 KCN処理が膜に与える影響 / p49 (0028.jp2)
  31. 第8章 Cu(In₁₋χGaχ)S₂薄膜太陽電池の特性とその改善 / p51 (0029.jp2)
  32. 8.1 光電変換特性 / p52 (0030.jp2)
  33. 8.2 暗所における電流-電圧特性 / p54 (0031.jp2)
  34. 8.3 容量-電圧特性 / p55 (0031.jp2)
  35. 8.4 スペクトル応答 / p58 (0033.jp2)
  36. 8.5 Cu(In₁₋χGaχ)S₂薄膜を用いた太陽電池の問題点と改善方法 / p59 (0033.jp2)
  37. 8.6 In₂S₃プリカーサから製作したCu(In₁₋χGaχ)S₂薄膜を用いた太陽電池 / p66 (0037.jp2)
  38. 8.7 急速昇温工程により製作したCu(In₁₋χGaχ)S₂薄膜を用いた太陽電池 / p71 (0039.jp2)
  39. 8.8 短時間硫化の可能性 / p73 (0040.jp2)
  40. 第9章 結論 / p76 (0042.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000174394
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000174670
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000338708
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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