【12/14(木)17時より】CiNiiの常時SSL化(HTTPS接続)について

電力用半導体素子の電流拡がり現象と熱挙動に関する研究

この論文をさがす

著者

    • 橋本, 理 ハシモト, オサム

書誌事項

タイトル

電力用半導体素子の電流拡がり現象と熱挙動に関する研究

著者名

橋本, 理

著者別名

ハシモト, オサム

学位授与大学

信州大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

乙第84号

学位授与年月日

1999-03-20

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 半導体素子の進歩 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 半導体素子の破壊 / p1 (0007.jp2)
  5. 1.3 半導体素子の電流拡がり現象 / p2 (0008.jp2)
  6. 1.4 半導体素子の熱挙動 / p4 (0010.jp2)
  7. 第2章 素子構造と動作原理 / p15 (0022.jp2)
  8. 2.1 サイリスタ / p15 (0022.jp2)
  9. 2.2 光サイリスタ / p15 (0022.jp2)
  10. 2.3 GTOサイリスタ / p16 (0023.jp2)
  11. 2.4 トランジスタ / p16 (0023.jp2)
  12. 2.5 IGBT / p17 (0024.jp2)
  13. 2.6 MOSFET / p18 (0025.jp2)
  14. 2.7 MOSサイリスタ / p18 (0025.jp2)
  15. 第3章 半導体素子の電流拡がり現象 / p29 (0037.jp2)
  16. 3.1 赤外ビジコンによる電流拡がりの測定 / p29 (0037.jp2)
  17. 3.2 赤外線イメージコンバータカメラによる電流拡がりの測定 / p34 (0042.jp2)
  18. 第4章 半導体素子の熱挙動 / p63 (0072.jp2)
  19. 4.1 原理 / p63 (0072.jp2)
  20. 4.2 装置の構成 / p63 (0072.jp2)
  21. 4.3 仕様 / p63 (0072.jp2)
  22. 4.4 較正曲線 / p63 (0072.jp2)
  23. 4.5 サイリスタのターンオン動作時の熱挙動 / p64 (0073.jp2)
  24. 4.6 実素子での熱挙動 / p69 (0078.jp2)
  25. 第5章 半導体素子のキャリア濃度分布と電界強度分布および温度分布 / p117 (0127.jp2)
  26. 5.1 キャリヤ濃度分布 / p117 (0127.jp2)
  27. 5.2 電界強度分布 / p117 (0127.jp2)
  28. 5.3 ホットスポットの温度の計算 / p118 (0128.jp2)
  29. 5.4 実測と計算に基づくホットスポットの温度の検討 / p119 (0129.jp2)
  30. 第6章 実素子の設計への適用 / p128 (0139.jp2)
  31. 6.1 GTOサイリスタ / p128 (0139.jp2)
  32. 6.2 光サイリスタ / p129 (0140.jp2)
  33. 6.3 サイリスタ / p130 (0141.jp2)
  34. 6.4 トランジスタ / p130 (0141.jp2)
  35. 第7章 結論 / p134 (0146.jp2)
  36. 付録 / p136 (0149.jp2)
  37. 1 高耐圧、大電流サイリスタの適用例 / p136 (0149.jp2)
  38. 2 GTOサイリスタの適用例 / p136 (0149.jp2)
  39. 3 光サイリスタの適用例 / p137 (0150.jp2)
  40. 4 1GBTの適用例 / p137 (0150.jp2)
  41. 研究成果 / p143 (0157.jp2)
  42. 謝辞 / p147 (0162.jp2)
0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000174435
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000174711
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000338749
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ