電力用半導体素子の電流拡がり現象と熱挙動に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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電力用半導体素子の電流拡がり現象と熱挙動に関する研究
- 著者名
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橋本, 理
- 著者別名
-
ハシモト, オサム
- 学位授与大学
-
信州大学
- 取得学位
-
博士(工学)
- 学位授与番号
-
乙第84号
- 学位授与年月日
-
1999-03-20
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 半導体素子の進歩 / p1 (0007.jp2)
- 1.2 半導体素子の破壊 / p1 (0007.jp2)
- 1.3 半導体素子の電流拡がり現象 / p2 (0008.jp2)
- 1.4 半導体素子の熱挙動 / p4 (0010.jp2)
- 第2章 素子構造と動作原理 / p15 (0022.jp2)
- 2.1 サイリスタ / p15 (0022.jp2)
- 2.2 光サイリスタ / p15 (0022.jp2)
- 2.3 GTOサイリスタ / p16 (0023.jp2)
- 2.4 トランジスタ / p16 (0023.jp2)
- 2.5 IGBT / p17 (0024.jp2)
- 2.6 MOSFET / p18 (0025.jp2)
- 2.7 MOSサイリスタ / p18 (0025.jp2)
- 第3章 半導体素子の電流拡がり現象 / p29 (0037.jp2)
- 3.1 赤外ビジコンによる電流拡がりの測定 / p29 (0037.jp2)
- 3.2 赤外線イメージコンバータカメラによる電流拡がりの測定 / p34 (0042.jp2)
- 第4章 半導体素子の熱挙動 / p63 (0072.jp2)
- 4.1 原理 / p63 (0072.jp2)
- 4.2 装置の構成 / p63 (0072.jp2)
- 4.3 仕様 / p63 (0072.jp2)
- 4.4 較正曲線 / p63 (0072.jp2)
- 4.5 サイリスタのターンオン動作時の熱挙動 / p64 (0073.jp2)
- 4.6 実素子での熱挙動 / p69 (0078.jp2)
- 第5章 半導体素子のキャリア濃度分布と電界強度分布および温度分布 / p117 (0127.jp2)
- 5.1 キャリヤ濃度分布 / p117 (0127.jp2)
- 5.2 電界強度分布 / p117 (0127.jp2)
- 5.3 ホットスポットの温度の計算 / p118 (0128.jp2)
- 5.4 実測と計算に基づくホットスポットの温度の検討 / p119 (0129.jp2)
- 第6章 実素子の設計への適用 / p128 (0139.jp2)
- 6.1 GTOサイリスタ / p128 (0139.jp2)
- 6.2 光サイリスタ / p129 (0140.jp2)
- 6.3 サイリスタ / p130 (0141.jp2)
- 6.4 トランジスタ / p130 (0141.jp2)
- 第7章 結論 / p134 (0146.jp2)
- 付録 / p136 (0149.jp2)
- 1 高耐圧､大電流サイリスタの適用例 / p136 (0149.jp2)
- 2 GTOサイリスタの適用例 / p136 (0149.jp2)
- 3 光サイリスタの適用例 / p137 (0150.jp2)
- 4 1GBTの適用例 / p137 (0150.jp2)
- 研究成果 / p143 (0157.jp2)
- 謝辞 / p147 (0162.jp2)