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Study on characterization and control of surface adsorbates and oxides on SiC using FTIR-ATR FTIR-ATRによるSiC上の表面吸着質ならびに酸化物の評価・制御に関する研究

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著者

    • 土田, 秀一 ツチダ, ヒデカズ

書誌事項

タイトル

Study on characterization and control of surface adsorbates and oxides on SiC using FTIR-ATR

タイトル別名

FTIR-ATRによるSiC上の表面吸着質ならびに酸化物の評価・制御に関する研究

著者名

土田, 秀一

著者別名

ツチダ, ヒデカズ

学位授与大学

長岡技術科学大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

乙第134号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Index / p1 (0003.jp2)
  2. 1.Introduction / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 Status of power electronics for power systems / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 Possibility of SiC semiconductor devices / p3 (0006.jp2)
  5. 1.3 Recent developments on SiC / p6 (0008.jp2)
  6. 1.4 Aim of this study / p10 (0010.jp2)
  7. 1.5 Construction of this thesis / p12 (0011.jp2)
  8. References / p14 (0012.jp2)
  9. 2.Infrared spectroscopy / p17 (0013.jp2)
  10. 2.1 Background / p17 (0013.jp2)
  11. 2.2 Configuration of infrared spectroscopy for SiC surfaces / p19 (0014.jp2)
  12. 2.3 Theoretical background / p20 (0015.jp2)
  13. 2.4 Experimental setup / p30 (0020.jp2)
  14. 2.5 Conclusions / p31 (0020.jp2)
  15. References / p32 (0021.jp2)
  16. 3.Bulk absorption / p33 (0021.jp2)
  17. 3.1 Background / p33 (0021.jp2)
  18. 3.2 Optical constants of SiC / p33 (0021.jp2)
  19. 3.3 Total reflection / p36 (0023.jp2)
  20. 3.4 Lattice absorption / p38 (0024.jp2)
  21. 3.5 Conclusions / p40 (0025.jp2)
  22. References / p41 (0025.jp2)
  23. 4.Chemical treatment / p42 (0026.jp2)
  24. 4.1 Background / p42 (0026.jp2)
  25. 4.2 HF treated surfaces / p43 (0026.jp2)
  26. 4.3 Chemical oxides / p52 (0031.jp2)
  27. 4.4 Conclusions / p59 (0034.jp2)
  28. References / p60 (0035.jp2)
  29. 5.Heat treatment in hydrogen / p62 (0036.jp2)
  30. 5.1 Background / p62 (0036.jp2)
  31. 5.2 Experimental / p64 (0037.jp2)
  32. 5.3(0001)surface / p66 (0038.jp2)
  33. 5.4(0001)surface / p77 (0043.jp2)
  34. 5.5 Conclusions / p85 (0047.jp2)
  35. References / p86 (0048.jp2)
  36. 6.Thermal oxidation / p88 (0049.jp2)
  37. 6.1 Background / p88 (0049.jp2)
  38. 6.2 Experimental procedure / p89 (0049.jp2)
  39. 6.3 SiO₂ films on 6H-SiC / p91 (0050.jp2)
  40. 6.4 Conclusions / p103 (0056.jp2)
  41. References / p104 (0057.jp2)
  42. 7.Concluding remarks / p106 (0058.jp2)
  43. 7.1 Summary of this thesis / p106 (0058.jp2)
  44. 7.2 Future prospects / p107 (0058.jp2)
  45. Acknowledgments / p108 (0059.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000174642
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000174919
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000338956
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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