高融点金属酸化物薄膜レジストによる集束イオンビームナノリソグラフィ
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Bibliographic Information
- Title
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高融点金属酸化物薄膜レジストによる集束イオンビームナノリソグラフィ
- Author
-
橋本, 雅広
- Author(Another name)
-
ハシモト, マサヒロ
- University
-
東京農工大学
- Types of degree
-
博士(工学)
- Grant ID
-
甲第217号
- Degree year
-
1999-03-25
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 要旨 / (0004.jp2)
- 目次 / (0006.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0008.jp2)
- 1.1 微細加工技術の現状 / p1 (0008.jp2)
- 1.2 研究目的 / p3 (0010.jp2)
- 第2章 集束イオンビーム露光特性 / p4 (0011.jp2)
- 2.1 集束イオンビームの特長 / p4 (0011.jp2)
- 2.2 液体金属イオン源 / p5 (0012.jp2)
- 2.3 集束イオンビーム装置 / p7 (0014.jp2)
- 2.4 無機レジスト材料 / p9 (0016.jp2)
- 2.5 集束イオンビームリソグラフィプロセス / p11 (0018.jp2)
- 2.6 集束イオンビーム露光特性 / p14 (0021.jp2)
- 2.7 まとめ / p27 (0034.jp2)
- 第3章 レジスト特性の発現機構 / p28 (0035.jp2)
- 3.1 Ar⁺イオン露光特性 / p28 (0035.jp2)
- 3.2 表面組成分析 / p32 (0039.jp2)
- 3.3 構造分析 / p42 (0049.jp2)
- 3.4 レジストメカニズムの総合的考察 / p47 (0054.jp2)
- 3.5 まとめ / p59 (0066.jp2)
- 第4章 極微細線構造の作製 / p62 (0069.jp2)
- 4.1 ネガ形MoO₃細線の作製 / p62 (0069.jp2)
- 4.2 ポジ形WO₃パターンの作製 / p82 (0089.jp2)
- 4.3 まとめ / p83 (0090.jp2)
- 第5章 二層レジストプロセスの導入 / p85 (0092.jp2)
- 5.1 二層レジストプロセス / p85 (0092.jp2)
- 5.2 二層レジストプロセス導入の意義 / p88 (0095.jp2)
- 5.3 二層レジストパターンの作製 / p88 (0095.jp2)
- 5.4 サイドエッチング / p91 (0098.jp2)
- 5.5 極微二層細線抵抗の還元温度依存性 / p95 (0102.jp2)
- 5.6 極微二層金属細線抵抗の温度特性 / p98 (0105.jp2)
- 5.7 まとめ / p98 (0105.jp2)
- 第6章 ナノゲートMOSFETへの応用 / p99 (0106.jp2)
- 6.1 MOSFET作製プロセス / p99 (0106.jp2)
- 6.2 動作特性 / p109 (0116.jp2)
- 6.3 まとめ / p110 (0117.jp2)
- 第7章 結論 / p111 (0118.jp2)
- 参考文献 / p113 (0120.jp2)
- 付録 / p116 (0123.jp2)
- 付録-I イオン源作製手順 / p116 (0123.jp2)
- 付録-II 阻止能の導出 / p118 (0125.jp2)
- 付録-III 光電子分光スペクトル(01s) / p121 (0128.jp2)
- 付録-IV 光学吸収 / p123 (0130.jp2)
- 付録-V モンテカルロ法 / p126 (0133.jp2)
- 付録-VI 解析的な飛程計算法 / p128 (0135.jp2)
- 付録-VII 有機系レジスト特性値 / p130 (0137.jp2)
- 付録-VIII 無機系レジスト特性値 / p135 (0142.jp2)
- 研究業績 / (0145.jp2)
- 謝辞 / (0158.jp2)
