【12/14(木)17時より】CiNiiの常時SSL化(HTTPS接続)について

強誘電体材料の次世代記憶素子への応用に関する研究

この論文をさがす

著者

    • 先崎, 純寿 センザキ, ジュンジ

書誌事項

タイトル

強誘電体材料の次世代記憶素子への応用に関する研究

著者名

先崎, 純寿

著者別名

センザキ, ジュンジ

学位授与大学

東京農工大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第220号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 本研究の歴史的背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 MFIS積層構造の実現 / p6 (0010.jp2)
  5. 1.3 本研究のあらましと意義 / p11 (0015.jp2)
  6. 第2章 実験装置 / p22 (0026.jp2)
  7. 2.1 緒言 / p22 (0026.jp2)
  8. 2.2 RFスパッタリング装置の構成 / p22 (0026.jp2)
  9. 2.3 Digital-MOCVD装置の構成 / p22 (0026.jp2)
  10. 2.4 結言 / p23 (0027.jp2)
  11. 第3章 Si(001)基板上へのMgOエピタキシャル薄膜の作製と特性評価 / p27 (0031.jp2)
  12. 3.1 緒言 / p27 (0031.jp2)
  13. 3.2 Si(001)基板上へのMgO薄膜エピタキシャル成長 / p27 (0031.jp2)
  14. 3.3 as-grown MgO/Si(001)構造の電気特性評価 / p33 (0037.jp2)
  15. 3.4 Furnaceアニール処理による電気特性改善の効果 / p34 (0038.jp2)
  16. 3.5 XPSを用いたアニールによる電気特性改善のメカニズム / p37 (0041.jp2)
  17. 3.6 結言 / p40 (0044.jp2)
  18. 第4章 MgO(001)基板上へのPZT薄膜エピタキシャル成長 / p59 (0063.jp2)
  19. 4.1 緒言 / p59 (0063.jp2)
  20. 4.2 Digital-MOCVD法の概要 / p59 (0063.jp2)
  21. 4.3 Digital-MOCVD法によるPZT薄膜の作製 / p60 (0064.jp2)
  22. 4.4 PZT薄膜の作製 / p63 (0067.jp2)
  23. 4.5 結言 / p66 (0070.jp2)
  24. 第5章 PZT/Pt構造の作製と電気特性評価 / p82 (0086.jp2)
  25. 5.1 緒言 / p82 (0086.jp2)
  26. 5.2 Pt/MgO(001)基板上へのエピタキシャルPZT薄膜の作製 / p83 (0087.jp2)
  27. 5.3 Pt/PZT/Ptキャパシタ構造の電気特性評価 / p86 (0090.jp2)
  28. 5.4 結言 / p89 (0093.jp2)
  29. 第6章 PZT/MgO/Siヘテロエピタキシャル積層構造の作製と特性評価 / p108 (0112.jp2)
  30. 6.1 緒言 / p108 (0112.jp2)
  31. 6.2 MgOバッファー層を介したSi基板上へのPZT薄膜のエピタキシャル成長 / p109 (0113.jp2)
  32. 6.3 MFIS積層構造の電気特性評価 / p112 (0116.jp2)
  33. 6.4 結言 / p114 (0118.jp2)
  34. 第7章 結論 / p125 (0129.jp2)
  35. 謝辞 / p129 (0133.jp2)
0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000174877
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000175154
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000339191
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ