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ニューダイヤモンド薄膜の合成と評価に関する研究

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著者

    • 谷, 庸治 タニ, ヨウジ

書誌事項

タイトル

ニューダイヤモンド薄膜の合成と評価に関する研究

著者名

谷, 庸治

著者別名

タニ, ヨウジ

学位授与大学

龍谷大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第17号

学位授与年月日

1999-03-19

注記・抄録

博士論文

授与名簿の責任表示: 谷傭治

目次

  1. 博士論文要旨 / p1 (0003.jp2)
  2. 目次 / p6 (0006.jp2)
  3. 第1章 序 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.1.はじめに / p1 (0007.jp2)
  5. 1.2.ダイヤモンド状炭素薄膜 / p2 (0008.jp2)
  6. 1.3.窒化炭素に関する理論計算 / p4 (0009.jp2)
  7. 1.4.窒化炭素薄膜の合成 / p6 (0010.jp2)
  8. 1.5.研究の目的 / p7 (0010.jp2)
  9. 参考文献 / p10 (0012.jp2)
  10. 第2章 ダイヤモンド状炭素薄膜の合成 / p11 (0012.jp2)
  11. 2.1.はじめに / p11 (0012.jp2)
  12. 2.2.実験方法 / p11 (0012.jp2)
  13. 2.3.結果および考察 / p13 (0013.jp2)
  14. 2.4.まとめ / p23 (0020.jp2)
  15. 参考文献 / p24 (0020.jp2)
  16. 第3章 窒化炭素薄膜の合成と評価 / p25 (0021.jp2)
  17. 3.1.はじめに / p25 (0021.jp2)
  18. 3.2.実験方法 / p26 (0022.jp2)
  19. 3.3.結果および考察 / p27 (0022.jp2)
  20. 3.4.まとめ / p54 (0040.jp2)
  21. 参考文献 / p55 (0040.jp2)
  22. 第4章 炭窒化ホウ素薄膜の合成 / p57 (0041.jp2)
  23. 4.1.はじめに / p57 (0041.jp2)
  24. 4.2.実験方法 / p58 (0042.jp2)
  25. 4.3.結果および考察 / p59 (0042.jp2)
  26. 4.4.まとめ / p65 (0045.jp2)
  27. 参考文献 / p67 (0046.jp2)
  28. 第5章 準安定相化合物薄膜の成長機構に関する考察 / p69 (0047.jp2)
  29. 5.1.はじめに / p69 (0047.jp2)
  30. 5.2. c-BNおよびアモルファス炭素薄膜の合成条件と微細構造 / p69 (0047.jp2)
  31. 5.3. c-BNおよびアモルファス炭素薄膜の成長機構 / p71 (0048.jp2)
  32. 5.4.窒化炭素薄膜および炭窒化ホウ素薄膜の成長様式 / p73 (0049.jp2)
  33. 5.5.まとめ / p77 (0051.jp2)
  34. 参考文献 / p79 (0052.jp2)
  35. 第6章 まとめ / p81 (0053.jp2)
  36. 謝辞 / p83 (0054.jp2)
  37. 発表論文リスト / (0055.jp2)
  38. 口頭発表リスト / (0056.jp2)
  39. 特許 / (0056.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000174903
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000175180
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000339217
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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