A study of high-power aluminum-free 980-nm graded-index separate-confinement-heterostructure lasers Alを含有しない組成傾斜分離閉じ込めヘテロ構造による波長980nm高出力半導体レーザの研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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A study of high-power aluminum-free 980-nm graded-index separate-confinement-heterostructure lasers
- タイトル別名
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Alを含有しない組成傾斜分離閉じ込めヘテロ構造による波長980nm高出力半導体レーザの研究
- 著者名
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大久保, 典雄
- 著者別名
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オオクボ, ミチオ
- 学位授与大学
-
東京工業大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第3221号
- 学位授与年月日
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1998-09-30
注記・抄録
博士論文
資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50348175
目次
- 論文目録
- Table of Contents
- Chapter 1 Introduction
- 1.1 Background of Fiber-Optic Telecommunications
- 1.2 Importance of Aluminum-Free 980-nm Lasers
- 1.3 Objectives of This Study
- References
- Chapter 2 Design Consideration of Graded-InGaAsP Structures
- 2.1 Requirements of High-Power Lasers
- 2.2 Characterization of Band Discontinuity of InGaP/InGaAsP/GaAs System
- 2.3 Design Consideration of Graded-InGaAsP Structures
- 2.4 Summary
- Appendix A Graded-GaAsP Base HBTs
- References
- Chapter 3 Fabrication and Characterization of Graded-InGaAsP Structures
- 3.1 Metal Organic Chemical Vapor Deposition Growth of Graded-InGaAsP Structures
- 3.2 Fabrication and Characterization of Graded-InGaAsP Structures
- 3.3 Summary
- References
- Chapter 4 Fabrication of High-Power Lasers with Graded-InGaAsP Structures
- 4.1 Fabrication Process of Polyimide Buried Ridge Waveguide Lasers
- 4.2 Performance of Basic Structures with Undoped (GRIN-)SCH
- 4.3 Advantages of Doped Graded Bandgap Structures
- 4.4 Controlled Graded Refractive Index Waveguides
- 4.5 Summary
- Appendix B Beam Steering
- References
- Chapter 5 Improvement of Temperature Dependence of GRIN-SCH Lasers
- 5.1 Improvement of Temperature Dependence with Low Mirror Loss
- 5.2 Consideration Using Current-Gain Relation
- 5.3 Summary
- References
- Chapter 6 Conclusions
- Acknowledgment
- List of publication
