表面エネルギー変調によるCaF[2]/Si(111) 基板上へのヘテロ構造形成に関する研究

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著者

    • 川崎, 宏治 カワサキ, コウジ

書誌事項

タイトル

表面エネルギー変調によるCaF[2]/Si(111) 基板上へのヘテロ構造形成に関する研究

著者名

川崎, 宏治

著者別名

カワサキ, コウジ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第3225号

学位授与年月日

1998-09-30

注記・抄録

博士論文

identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:99001153

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / p1 (0004.jp2)
  3. 1 序論 / p7 (0007.jp2)
  4. 1.1 はじめに / p7 (0007.jp2)
  5. 1.2 ヘテロ材料積層技術の発展の経緯と現状 / p9 (0008.jp2)
  6. 1.3 ヘテロ成長の意義と問題点 / p14 (0011.jp2)
  7. 1.4 EBEエピタキシーによるCaF₂/Si(111)基板上へのGaAsの成長 / p19 (0013.jp2)
  8. 1.5 表面エネルギー変調による濡れ性の向上 / p23 (0015.jp2)
  9. 1.6 本研究の目的と論文構成 / p30 (0019.jp2)
  10. 2 Si(111)基板上へのCaF₂のMBE成長 / p41 (0024.jp2)
  11. 2.1 はじめに / p41 (0024.jp2)
  12. 2.2 Si基板洗浄 / p42 (0025.jp2)
  13. 2.3 CaF₂の結晶成長法 / p43 (0025.jp2)
  14. 2.4 CaF₂の表面モホロジー / p45 (0026.jp2)
  15. 2.5 終わりに / p51 (0029.jp2)
  16. 3 電子線照射によるCaF₂の表面改質過程の可視光によるその場観察 / p55 (0031.jp2)
  17. 3.1 はじめに / p55 (0031.jp2)
  18. 3.2 可視光をプローブとしたその場観察法 / p56 (0032.jp2)
  19. 3.3 CaF₂表面への低エネルギー電子線照射効果 / p61 (0034.jp2)
  20. 3.4 低エネルギー電子線照射によるCaF₂表面のP原子による表面改質 / p68 (0038.jp2)
  21. 3.5 表面改質したCaF₂の表面モホロジー / p73 (0040.jp2)
  22. 3.6 表面改質の素過程と機構 / p79 (0043.jp2)
  23. 3.7 おわりに / p84 (0046.jp2)
  24. 4 電子線照射により表面エネルギー変調したCaF₂上GaAsのエピタキシャル成長 / p89 (0048.jp2)
  25. 4.1 はじめに / p89 (0048.jp2)
  26. 4.2 電子線照射による表面改質の効果 / p91 (0049.jp2)
  27. 4.3 GaAs成長初期過程の観察 / p98 (0053.jp2)
  28. 4.4 二段階成長による結晶性の向上 / p107 (0057.jp2)
  29. 4.5 電子移動度の評価 / p115 (0061.jp2)
  30. 4.6 おわりに / p121 (0064.jp2)
  31. 5 高密度二次元島形成により表面エネルギー変調したCaF₂上へのGaAsのエピタキシャル成長 / p127 (0067.jp2)
  32. 5.1 はじめに / p127 (0067.jp2)
  33. 5.2 高密度二次元島形成によるCaF₂の表面エネルギー変調 / p128 (0068.jp2)
  34. 5.3 表面エネルギー変調によるGaAsの濡れ性の評価 / p131 (0069.jp2)
  35. 5.4 多段階成長によるGaAsの結晶成長 / p134 (0071.jp2)
  36. 5.5 表面エネルギー変調によるヘテロエピタキシャル成長の拡張 / p147 (0077.jp2)
  37. 5.6 おわりに / p152 (0080.jp2)
  38. 6 表面エネルギー変調の微細構造形成への応用 / p157 (0082.jp2)
  39. 6.1 はじめに / p157 (0082.jp2)
  40. 6.2 集束電子線照射によるGaAsの選択成長 / p159 (0083.jp2)
  41. 6.3 集束電子線照射による極微細金属ドットの自然形成 / p168 (0088.jp2)
  42. 6.4 ステップエッジ上への自然形成法による一次元極微細金属アレイの形成 / p174 (0091.jp2)
  43. 6.5 おわりに / p187 (0097.jp2)
  44. 7 結論 / p191 (0099.jp2)
  45. 7.1 本研究で得られた成果 / p191 (0099.jp2)
  46. 7.2 今後の課題 / p193 (0100.jp2)
  47. 謝辞 / p195 (0101.jp2)
  48. 本研究に関する発表論文献等 / p197 (0102.jp2)
  49. A 本研究で用いた装置 / p205 (0106.jp2)
  50. A.1 MBE装置 / p205 (0106.jp2)
  51. A.2 表面改質装置 / p209 (0108.jp2)
  52. B 色中心 / p215 (0111.jp2)
  53. B.1 F中心､M中心､R中心､N中心 / p215 (0111.jp2)
  54. B.2 VK中心 / p216 (0112.jp2)
  55. B.3 H中心 / p216 (0112.jp2)
  56. B.4 金属コロイド / p217 (0112.jp2)
  57. B.5 不純物 / p217 (0112.jp2)
  58. C 多層膜における反射率の計算 / p219 (0113.jp2)
  59. C.1 三層膜における反射率 / p219 (0113.jp2)
  60. C.2 四層膜における反射率 / p221 (0114.jp2)
  61. D SPAの信号強度とGa液滴のサイズ / p225 (0116.jp2)
  62. D.1 CaF₂表面へのGaの堆積 / p225 (0116.jp2)
  63. D.2 SPA信号によるGa堆積量の制御 / p225 (0116.jp2)
  64. E AFM像による基板と島の接触角の評価 / p227 (0117.jp2)
  65. F GaAs膜中電子の散乱とドリフト移動度 / p229 (0118.jp2)
  66. F.1 有極性光学フォノン(polar optical phonon)による散乱 / p229 (0118.jp2)
  67. F.2 音響フォノンによる圧電的な(piezo-electric)散乱 / p230 (0119.jp2)
  68. F.3 音響フォノンによる変形ポテンシャル(deformation potential)散乱 / p230 (0119.jp2)
  69. F.4 イオン化不純物(ionized impurity)による散乱 / p231 (0119.jp2)
  70. F.5 中性不純物(neutral impurity)による散乱 / p231 (0119.jp2)
  71. F.6 空間電荷(space charge)による散乱 / p231 (0119.jp2)
  72. G Ga液滴形成のモンテカルロシミュレーション / p233 (0120.jp2)
  73. G.1 液滴成長のMCSの条件 / p233 (0120.jp2)
  74. G.2 シミュレーションの手順 / p233 (0120.jp2)
  75. G.3 シミュレーション結果 / p235 (0121.jp2)
  76. G.4 プログラムリスト / p236 (0122.jp2)
  77. H 固体中の電子散乱 / p241 (0124.jp2)
  78. H.1 シングルスキャッタリングモデルを用いた計算手順 / p241 (0124.jp2)
  79. H.2 多層膜中での計算手順 / p242 (0125.jp2)
  80. H.3 モンテ･カルロ･シミュレーションのプログラムリスト / p245 (0126.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000182131
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001667699
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000346445
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション

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