MOCVDによるGaAs系化合物半導体の結晶成長におけるドーピング特性と機構に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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MOCVDによるGaAs系化合物半導体の結晶成長におけるドーピング特性と機構に関する研究
- 著者名
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舘野, 功太
- 著者別名
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タテノ, コウタ
- 学位授与大学
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東京大学
- 取得学位
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博士 (理学)
- 学位授与番号
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乙第15073号
- 学位授与年月日
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2001-06-11
注記・抄録
博士論文
MOCVDによるGaAs系化合物半導体の結晶成長におけるドーピング特性と機構に関する研究
舘野, 功太
タテノ, コウタ
東京大学
博士 (理学)
乙第15073号
2001-06-11
博士論文