Fabrication and retention property of ferroelectric gate capacitors using YMnO3/Y2O3/Si epitaxial system エピタキシャルYMnO3/Y2O3/Siを用いた強誘電体ゲートキャパシタの作製とその記憶保持特性
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著者
書誌事項
- タイトル
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Fabrication and retention property of ferroelectric gate capacitors using YMnO3/Y2O3/Si epitaxial system
- タイトル別名
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エピタキシャルYMnO3/Y2O3/Siを用いた強誘電体ゲートキャパシタの作製とその記憶保持特性
- 著者名
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伊藤, 大輔
- 著者別名
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イトウ, ダイスケ
- 学位授与大学
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大阪府立大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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甲第828号
- 学位授与年月日
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2003-03-31
注記・抄録
博士論文