Study on dielectric breakdown mechanisms of gate oxides in silicon MOSFETs シリコンMOSFETにおけるゲート酸化膜の絶縁破壊機構に関する研究

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著者

    • 岡田, 健治 オカダ, ケンジ

書誌事項

タイトル

Study on dielectric breakdown mechanisms of gate oxides in silicon MOSFETs

タイトル別名

シリコンMOSFETにおけるゲート酸化膜の絶縁破壊機構に関する研究

著者名

岡田, 健治

著者別名

オカダ, ケンジ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第9263号

学位授与年月日

2003-03-25

注記・抄録

博士論文

14401甲第09263号

博士(工学)

大阪大学

2003-03-25

17897

4アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000231850
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000232371
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 000004137874
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
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