Si基板上への気相エピタキシャル成長法による窒化物半導体の結晶成長に関する研究

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

    • 本田, 善央 ホンダ, ヨシオ

書誌事項

タイトル

Si基板上への気相エピタキシャル成長法による窒化物半導体の結晶成長に関する研究

著者名

本田, 善央

著者別名

ホンダ, ヨシオ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5847号

学位授与年月日

2003-03-25

注記・抄録

博士論文

名古屋大学博士学位論文 学位の種類:博士(工学) (課程) 学位授与年月日:平成15年3月25日

2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000233051
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000233582
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000004178017
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
ページトップへ