極薄ゲート絶縁膜/シリコン界面における化学結合状態と電子状態に関する研究

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著者

    • 高橋, 健介 タカハシ, ケンスケ

書誌事項

タイトル

極薄ゲート絶縁膜/シリコン界面における化学結合状態と電子状態に関する研究

著者名

高橋, 健介

著者別名

タカハシ, ケンスケ

学位授与大学

武蔵工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第76号

学位授与年月日

2003-03-19

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000233739
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000234275
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000004182408
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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