Deep level characterization and electrochemical processing for single crystalline silicon carbide 単結晶SiCの深い準位の評価と電気化学的手法による加工

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

    • 加藤, 正史 カトウ, マサシ

書誌事項

タイトル

Deep level characterization and electrochemical processing for single crystalline silicon carbide

タイトル別名

単結晶SiCの深い準位の評価と電気化学的手法による加工

著者名

加藤, 正史

著者別名

カトウ, マサシ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第422号

学位授与年月日

2003-03-25

注記・抄録

博士論文

主査:荒井 英輔

0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000233943
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000234479
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 000004195334
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
ページトップへ