二次イオン質量分析法による半導体デバイス中不純物の定量・深さ分析に関する研究

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著者

    • 富田, 充裕 トミタ, ミツヒロ

書誌事項

タイトル

二次イオン質量分析法による半導体デバイス中不純物の定量・深さ分析に関する研究

著者名

富田, 充裕

著者別名

トミタ, ミツヒロ

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第11215号

学位授与年月日

2003-03-24

注記・抄録

博士論文

新制・論文博士

乙第11215号

論工博第3736号

2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000234662
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000235209
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000004199634
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
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