LSI製造における薄膜プロセス起因の欠陥発生メカニズムとその抑制に関する研究

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著者

    • 長田, 芳裕 オサダ, ヨシヒロ

書誌事項

タイトル

LSI製造における薄膜プロセス起因の欠陥発生メカニズムとその抑制に関する研究

著者名

長田, 芳裕

著者別名

オサダ, ヨシヒロ

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第11216号

学位授与年月日

2003-03-24

注記・抄録

博士論文

新制・論文博士

乙第11216号

論工博第3737号

2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000234663
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000235210
  • DOI(JaLC)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000004199636
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
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