高信頼性強誘電体集積メモリ(FeRAM)技術のためのPZT薄膜物性制御に関する研究

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著者

    • 井上, 尚也 イノウエ, ナオヤ

書誌事項

タイトル

高信頼性強誘電体集積メモリ(FeRAM)技術のためのPZT薄膜物性制御に関する研究

著者名

井上, 尚也

著者別名

イノウエ, ナオヤ

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第11218号

学位授与年月日

2003-03-24

注記・抄録

博士論文

新制・論文博士

乙第11218号

論工博第3739号

1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000234665
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000235212
  • DOI(JaLC)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000004199640
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
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