0.1μm・GHz世代の超LSIの配線技術に関する研究 Study on metallization technology for future ULSI devices of 0.1μm・GHz generation

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著者

    • 古谷, 晃 フルヤ, アキラ

書誌事項

タイトル

0.1μm・GHz世代の超LSIの配線技術に関する研究

タイトル別名

Study on metallization technology for future ULSI devices of 0.1μm・GHz generation

著者名

古谷, 晃

著者別名

フルヤ, アキラ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第1725号

学位授与年月日

2002-07-18

注記・抄録

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:乙1725号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:2002/7/18 ; 早大学位記番号:新3422 ; 理工学図書館請求番号:2732

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000234874
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000235423
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000004205154
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
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