Study of vertical Schottky Source/Drain MOSFETs integrated with resonant tunneling diodes 共鳴トンネルダイオードを集積した縦型ショットキーソース/ドレインMOSFETの研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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Study of vertical Schottky Source/Drain MOSFETs integrated with resonant tunneling diodes
- タイトル別名
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共鳴トンネルダイオードを集積した縦型ショットキーソース/ドレインMOSFETの研究
- 著者名
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筒井, 将史
- 著者別名
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ツツイ, マサフミ
- 学位授与大学
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東京工業大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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甲第5039号
- 学位授与年月日
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2002-03-26
注記・抄録
博士論文
