Study of strained Si[1-y]C[y]/Si heterostructure and its application to MOS devices 歪Si[1-y]C[y]/Siヘテロ構造の作製およびMOSデバイスへの応用
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著者
書誌事項
- タイトル
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Study of strained Si[1-y]C[y]/Si heterostructure and its application to MOS devices
- タイトル別名
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歪Si[1-y]C[y]/Siヘテロ構造の作製およびMOSデバイスへの応用
- 著者名
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綿引, 達郎
- 著者別名
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ワタヒキ, タツロウ
- 学位授与大学
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東京工業大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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甲第5386号
- 学位授与年月日
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2003-03-26
注記・抄録
博士論文
identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:99004077