Design of three-dimensional structure MOSFETs with substrate bias control for low-power LSIs 低電力LSIに向けた基板バイアス制御三次元構造MOSFETの設計

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著者

    • 南雲, 俊治 ナグモ, トシハル

書誌事項

タイトル

Design of three-dimensional structure MOSFETs with substrate bias control for low-power LSIs

タイトル別名

低電力LSIに向けた基板バイアス制御三次元構造MOSFETの設計

著者名

南雲, 俊治

著者別名

ナグモ, トシハル

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第21169号

学位授与年月日

2006-03-23

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000357965
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000359097
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 000008479452
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
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