Growth and characterization of group 3 nitride films on SiC substrates by pulsed laser deposition パルスレーザ堆積法によるSiC基板上への窒化物半導体薄膜の成長と評価

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著者

    • 金, 明姫 キム, ミョンヒ

書誌事項

タイトル

Growth and characterization of group 3 nitride films on SiC substrates by pulsed laser deposition

タイトル別名

パルスレーザ堆積法によるSiC基板上への窒化物半導体薄膜の成長と評価

著者名

金, 明姫

著者別名

キム, ミョンヒ

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士 (学術)

学位授与番号

甲第23213号

学位授与年月日

2008-03-24

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500002354789
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000002920013
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 000010055541
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
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