First-principle calculation for the surface reaction processes of 3-nitride semiconductors 第一原理計算による3族窒化物半導体の表面反応過程の解析
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著者
書誌事項
- タイトル
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First-principle calculation for the surface reaction processes of 3-nitride semiconductors
- タイトル別名
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第一原理計算による3族窒化物半導体の表面反応過程の解析
- 著者名
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鈴木, ひかり
- 著者別名
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スズキ, ヒカリ
- 学位授与大学
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東京農工大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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甲第675号
- 学位授与年月日
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2010-03-25
注記・抄録
博士論文
