【12/14(木)17時より】CiNiiの常時SSL化(HTTPS接続)について

Development of multi-element high-k dielectric films for gigabit DRAM capacitors 超高集積DRAMキャパシタ用多元素系高誘電率膜の開発

この論文をさがす

著者

    • 大和, 昌樹 ヤマト, マサキ

書誌事項

タイトル

Development of multi-element high-k dielectric films for gigabit DRAM capacitors

タイトル別名

超高集積DRAMキャパシタ用多元素系高誘電率膜の開発

著者名

大和, 昌樹

著者別名

ヤマト, マサキ

学位授与大学

広島大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5103号

学位授与年月日

2010-03-05

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000545513
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000547588
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 000011293284
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
ページトップへ