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PA-MBE法によるSi基板を用いたダブルバッファー層上AlN,GaN成長

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著者

    • 山邊, 信彦 ヤマベ, ノブヒコ

書誌事項

タイトル

PA-MBE法によるSi基板を用いたダブルバッファー層上AlN,GaN成長

著者名

山邊, 信彦

著者別名

ヤマベ, ノブヒコ

学位授与大学

同志社大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第489号

学位授与年月日

2011-03-22

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000547201
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000549291
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 023253507
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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