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Study on inverted aluminum-induced layer exchange method for thin film polycrystalline silicon solar cells on insulating substrates 絶縁基板上の薄膜多結晶シリコン太陽電池のための逆アルミニウム誘起層交換法の研究

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著者

    • 倉世古, 浩志 クラセコ, ヒロシ

書誌事項

タイトル

Study on inverted aluminum-induced layer exchange method for thin film polycrystalline silicon solar cells on insulating substrates

タイトル別名

絶縁基板上の薄膜多結晶シリコン太陽電池のための逆アルミニウム誘起層交換法の研究

著者名

倉世古, 浩志

著者別名

クラセコ, ヒロシ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第7737号

学位授与年月日

2009-05-31

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000547502
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000549594
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 023304037
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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