Formation mechanism of extended defects in AlN grown on SiC{0001} and their reduction by initial growth control SiC{0001}上AlN層における拡張欠陥の発生機構と初期成長制御によるその低減
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著者
書誌事項
- タイトル
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Formation mechanism of extended defects in AlN grown on SiC{0001} and their reduction by initial growth control
- タイトル別名
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SiC{0001}上AlN層における拡張欠陥の発生機構と初期成長制御によるその低減
- 著者名
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奥村, 宏典
- 著者別名
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オクムラ, ヒロノリ
- 学位授与大学
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京都大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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甲第16861号
- 学位授与年月日
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2012-03-26
注記・抄録
博士論文
