Interface control of AlGaN/SiC heterojunction and development of high-current-gain SiC-based bipolar transistors AlGaN/SiCヘテロ接合界面制御および高電流増幅率SiC系バイポーラトランジスタの実現

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著者

    • 三宅, 裕樹 ミヤケ, ヒロキ

書誌事項

タイトル

Interface control of AlGaN/SiC heterojunction and development of high-current-gain SiC-based bipolar transistors

タイトル別名

AlGaN/SiCヘテロ接合界面制御および高電流増幅率SiC系バイポーラトランジスタの実現

著者名

三宅, 裕樹

著者別名

ミヤケ, ヒロキ

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第16862号

学位授与年月日

2012-03-26

注記・抄録

博士論文

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プレビュー

キーワード

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000555716
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000557888
  • DOI(JaLC)
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 023662201
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE

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