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Study on GaN-based materials and devices grown by MOCVD MOCVD法を用いて成長した窒化ガリウム系材料およびデバイスに関する研究

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著者

    • Pum Chian Khai プン チェン カイ

書誌事項

タイトル

Study on GaN-based materials and devices grown by MOCVD

タイトル別名

MOCVD法を用いて成長した窒化ガリウム系材料およびデバイスに関する研究

著者名

Pum Chian Khai

著者別名

プン チェン カイ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第846号

学位授与年月日

2012-03-30

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000560387
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000562595
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 023889715
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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