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Formation of silicon nanocrystals by thermal plasma jet induced millisecond annealing and its application to floating-gate memories 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるシリコンナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用

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著者

    • 岡田, 竜弥 オカダ, タツヤ

書誌事項

タイトル

Formation of silicon nanocrystals by thermal plasma jet induced millisecond annealing and its application to floating-gate memories

タイトル別名

熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるシリコンナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用

著者名

岡田, 竜弥

著者別名

オカダ, タツヤ

学位授与大学

広島大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第5007号

学位授与年月日

2009-09-07

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000561531
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000563745
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 023907964
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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