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Study of 65nm/180nm CMOS variation effects and impact on frequency-domain associative-memory reliability 65nm/180nm CMOSばらつき解析と周波数ドメイン連想メモリの信頼性への影響に関する研究

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著者

    • Ansari, Tania アンサリ, タニア

書誌事項

タイトル

Study of 65nm/180nm CMOS variation effects and impact on frequency-domain associative-memory reliability

タイトル別名

65nm/180nm CMOSばらつき解析と周波数ドメイン連想メモリの信頼性への影響に関する研究

著者名

Ansari, Tania

著者別名

アンサリ, タニア

学位授与大学

広島大学

取得学位

博士 (学術)

学位授与番号

甲第5720号

学位授与年月日

2012-03-02

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000561719
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000563933
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 023912022
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
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