Research on high density DRAM cell technologies with three dimensional device structures 3次元構造化による高密度DRAMセル技術に関する研究

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著者

    • 則房, 勇人 ノリフサ, ユウト

書誌事項

タイトル

Research on high density DRAM cell technologies with three dimensional device structures

タイトル別名

3次元構造化による高密度DRAMセル技術に関する研究

著者名

則房, 勇人

著者別名

ノリフサ, ユウト

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第14615号

学位授与年月日

2012-03-27

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000563691
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000565912
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 024020587
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
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