AlGaN/GaN HFETの高性能化プロセスに関する研究

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著者

    • 黒田, 正行 クロダ, マサユキ

書誌事項

タイトル

AlGaN/GaN HFETの高性能化プロセスに関する研究

著者名

黒田, 正行

著者別名

クロダ, マサユキ

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士(科学)

学位授与番号

乙第17797号

学位授与年月日

2013-03-06

注記・抄録

博士論文

28アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500002473817
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000003039978
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 025154798
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
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