Study of Orientation Rotation in Rapid-Melting Growth of Ge-on-Insulator 急速溶融法を用いた絶縁膜上のゲルマニウム結晶成長における回転機構に関する研究

著者

    • Anisuzzaman, Mohammad

書誌事項

タイトル

Study of Orientation Rotation in Rapid-Melting Growth of Ge-on-Insulator

タイトル別名

急速溶融法を用いた絶縁膜上のゲルマニウム結晶成長における回転機構に関する研究

著者名

Anisuzzaman, Mohammad

学位授与大学

九州大学

取得学位

博士(学術)

学位授与番号

甲第11728号

学位授与年月日

2013-10-31

注記・抄録

元資料の権利情報 : 全文ファイル公表済

元資料の権利情報 : Fulltext available.

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000731365
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000731143
  • DOI(JaLC)
  • DOI
  • 本文言語コード
    • eng
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDLデジタルコレクション
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