A study on Semiconductor Interfaces with Rare Earth Oxide and Ni Silicides for High Performance InGaAs MOSFETs

この論文にアクセスする

著者

    • ｻﾞﾃﾞ, ﾊｻﾝ ﾀﾞﾘﾕｰｼﾕ
    • ZADEH, DARYOUSH

書誌事項

タイトル

A study on Semiconductor Interfaces with Rare Earth Oxide and Ni Silicides for High Performance InGaAs MOSFETs

著者名

ｻﾞﾃﾞ, ﾊｻﾝ ﾀﾞﾘﾕｰｼﾕ

著者名

ZADEH, DARYOUSH

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第9315号

学位授与年月日

2013-09-25

注記・抄録

identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:81053676

identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:71053676

目次

  1. 2021-05-17 再収集 (2コマ目)
6アクセス

プレビュー

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000731604
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001574903
    • 8000001574904
  • 本文言語コード
    • eng
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDLデジタルコレクション

書き出し

ページトップへ