A study on Semiconductor Interfaces with Rare Earth Oxide and Ni Silicides for High Performance InGaAs MOSFETs A study on Semiconductor Interfaces with Rare Earth Oxide and Ni Silicides for High Performance InGaAs MOSFETs

著者

    • ザデ, ハサン ダリユーシユ
    • ZADEH, DARYOUSH

書誌事項

タイトル

A study on Semiconductor Interfaces with Rare Earth Oxide and Ni Silicides for High Performance InGaAs MOSFETs

タイトル別名

A study on Semiconductor Interfaces with Rare Earth Oxide and Ni Silicides for High Performance InGaAs MOSFETs

著者名

ザデ, ハサン ダリユーシユ

著者名

ZADEH, DARYOUSH

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第9315号

学位授与年月日

2013-09-25

注記・抄録

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000731604
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001080062
    • 8000001080063
  • 本文言語コード
    • en
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDLデジタルコレクション
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