高誘電率ゲート絶縁膜を有するMOS型電界効果トランジスタの反転層キャリアの電子状態と輸送に関する研究

著者

    • 飯島, 良介

書誌事項

タイトル

高誘電率ゲート絶縁膜を有するMOS型電界効果トランジスタの反転層キャリアの電子状態と輸送に関する研究

著者名

飯島, 良介

学位授与大学

東京大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

乙第17868号

学位授与年月日

2013-09-12

注記・抄録

学位の種別: 論文博士

目次

  1. 本文 / (17868_飯島良介_本文.pdf)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000731723
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000950005
  • 本文言語コード
    • jpn
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDLデジタルコレクション
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