240-325 GHz GaAs CW fundamental-mode TUNNETT diodes fabricated with molecular layer epitaxy

• PLOTKA P.

収録刊行物

• IEEE Trans. Electron Devices

  IEEE Trans. Electron Devices 50 (4), 867-873, 2003

詳細情報

• CRID: 1573387451558148864
• NII論文ID: 80016065823
• データソース種別:
  • CiNii Articles