MBEによる低温成長GaAsにおける過剰As導入機構の解明

著者

• 須田, 篤史 スダ, アツシ

書誌事項

MBEによる低温成長GaAsにおける過剰As導入機構の解明

須田篤史[著]

須田篤史, 1999.3

タイトル読み

MBE ニヨル テイオン セイチョウ GaAs ニオケル カジョウ As ドウニュウ キコウ ノ カイメイ

注記

博士論文(北陸先端科学技術大学院大学, 1999, 博材第20号)

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA48092839
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: [辰口町(石川県)]
• ページ数/冊数: iii, 102枚
• 大きさ: 30cm