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MOSFETのモデリングとBSIM3ユーザーズガイド

Yuhua Cheng, Chenming Hu [著] ; 三洋電機 [ほか] 共訳

丸善, 2002.2

タイトル別名

MOSFET modeling & BSIM3 : user's guide

タイトル読み

MOSFET ノ モデリング ト BSIM3 ユーザーズ ガイド

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注記

その他の共訳者: 日立製作所, リコー, シルバコ・ジャパン

監修: 鳥谷部達

文献: 各章末

内容説明・目次

内容説明

LSIデバイス技術はナノメーター領域に近づいているが、本書は、この回路シミュレーションモデルの決定版といわれているBSIM3についての解説書である。デバイス研究者、回路設計者、デバイス技術者の実用書としてのみならず、回路設計・デバイス設計関連の研究室に在籍する学部4年生〜大学院生らの参考書としても有用。さらに、LSIデバイス技術者の、BSIM3の研修テキストとして最適である。

目次

  • 序論
  • 現代のMOSFETにおける重要な物理現象
  • しきい値電圧モデル
  • I‐Vモデル
  • キャパシタンスモデル
  • 基板電流モデル
  • ノイズモデル
  • ソース・ドレイン寄生素子モデル
  • 温度依存性モデル
  • 非準静的(Non‐quasi Static:NQS)モデル
  • BSIM3v3モデルの仕組み
  • モデルのテスト
  • モデルパラメータ抽出
  • RF,および他分野へのコンパクトモデルの応用

「BOOKデータベース」 より

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA5603868X
  • ISBN
    • 4621049836
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 原本言語コード
    eng
  • 出版地
    東京
  • ページ数/冊数
    xvi, 467p
  • 大きさ
    21cm
  • 分類
  • 件名
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